全球硅智財（IP）領先供應商円星科技（M31）近日宣佈，繼在臺積電N12e製程成功推出低功耗IP解決方案後，進一步將技術拓展至N6e先進製程，推出支持超低漏電（ULL）、極低漏電（ELL）與低電壓操作（Low-VDD）的存儲器編譯器。該系列IP可滿足高性能與低功耗並重的應用需求，強化在物聯網、移動設備等領域的競爭力。同期，M31再度榮獲2025年臺積公司OIP年度合作伙伴特殊製程IP獎，連續第八年獲此殊榮，彰顯其在先進製程IP開發上的持續領先地位。
全球硅智財（IP）領先供應商円星科技（M31）近日宣佈，繼在臺積電N12e製程成功推出低功耗IP解決方案後，進一步將技術拓展至N6e先進製程，推出支持超低漏電（ULL）、極低漏電（ELL）與低電壓操作（Low-VDD）的存儲器編譯器。該系列IP可滿足高性能與低功耗並重的應用需求，強化在物聯網、移動設備等領域的競爭力。同期，M31再度榮獲2025年臺積公司OIP年度合作伙伴特殊製程IP獎，連續第八年獲此殊榮，彰顯其在先進製程IP開發上的持續領先地位。
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