三星殺回HBM戰場!供貨英偉達,攪動存儲狂潮

DOIT傳媒
10/10

在AI算力競賽的核心戰場,高帶寬內存(HBM)已成為決定AI芯片性能的「命脈」。2025年,全球存儲市場正被AI需求引爆「超級週期」——HBM價格年內暴漲80%,OpenAI等巨頭訂單吞噬近40%全球DRAM產能。而三星電子歷經18個月技術攻堅,終於突破英偉達嚴苛認證,將12層HBM3E納入GB300 AI加速器供應鏈,打破SK海力士壟斷,重塑全球HBM「三強爭霸」格局,為緊張的存儲市場注入關鍵變量。

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一、存儲超級週期:

AI需求引爆HBM「黃金賽道」

AI大模型的爆發式增長,正以「吞噬性」改寫存儲市場規則。OpenAI「星際之門」項目每月需90萬片DRAM晶圓,接近全球DRAM產量的40%;單臺AI服務器搭載的HBM、DDR5容量是傳統服務器的3倍以上,如英偉達B200芯片需8顆24GB HBM3E,總容量達192GB。這種需求強度,讓存儲芯片從「週期性配角」躍升為「AI核心瓶頸」,推動行業進入超級週期。

HBM成為週期中最耀眼的「黃金賽道」:價格上,2024年三季度HBM2e僅25美元/GB,2025年二季度飆升至45美元/GB,漲幅80%;規模上,全球HBM市場規模預計從2023年30億美元增至2027年530億美元,2030年有望破1000億美元,17倍增長空間吸引廠商傾斜產能——HBM毛利率50%-60%,是傳統DRAM(30%)的近兩倍,三星、SK海力士、美光紛紛將DRAM產能轉向HBM,直接導致DDR4供應緊張,2025年三季度Consumer DDR4合約價季增85%-90%。

供應端收縮進一步加劇失衡。2025年10月,韓美頭部DRAM廠商集體暫停新報價,臺灣威剛、十銓科技同步跟進,為2017年以來首次;三星更通知客戶四季度上調DRAM價15%-30%、NAND價5%-10%。摩根士丹利預測,2026年NAND供應缺口將達8%,HBM缺口或持續至2027年,「AI需求與供應投資不足的矛盾,將讓存儲緊平衡成常態」。

二、三星的「救贖之戰」:

18個月攻堅突破英偉達認證

三星此次入局,是一場遲來的「技術救贖」。作為全球DRAM傳統龍頭,三星在HBM競爭中曾長期落後SK海力士:2024年2月首次提交12層HBM3E樣品,因散熱缺陷、性能不達標失敗;後續轉向8層方案,又因採用老舊1a代DRAM技術,未通過英偉達整機認證,甚至在2025年CES被黃仁勳公開指出「HBM設計需調整」。

轉折點始於2025年上半年:三星重資優化DRAM設計與封裝工藝,解決信號延遲與散熱問題;李在鎔8月赴美與黃仁勳會面,表達採購5萬塊英偉達GPU的意向(用於三星AI轉型與浦項數據中心),為合作鋪路;隨後黃仁勳致函李在鎔,確認三星12層HBM3E通過單芯片認證,啓動整機測試。

截至2025年10月,三星完成全流程認證,成為繼SK海力士、美光後,第三家進入英偉達HBM核心供應鏈的廠商。儘管此次突破標誌其存儲技術重回第一梯隊,但業內認為初期訂單有限:SK海力士已壟斷GB300 HBM3E初期供應,美光良率持續改善,英偉達為平衡合作關係,僅將三星作為「備用供應商」,短期難獲大規模訂單。

三、三強博弈:HBM格局重塑,

HBM4成下一輪戰場

三星入局後,全球HBM「三強爭霸」格局明晰:SK海力士以62%市佔率居首,壟斷英偉達初期供應;美光以20%次之,良率逐步改善;三星此前18%的市佔率,預計2025年調整為SK海力士50%、三星20%、美光30%,美光因三星分流略有提升。

競爭已提前聚焦HBM4:三星憑藉10nm級DRAM(1c)與自研4nm邏輯芯片,率先實現HBM4 11Gbps傳輸速率,計劃2026年量產;SK海力士完成HBM4開發,宣稱性能「超10Gbps」,但未公佈細節,重點優化功耗;美光聚焦成本控制,試圖通過良率提升縮小差距。

HBM4將關聯英偉達下一代AI架構Vera Rubin,2026年首次搭載。分析師指出,「HBM4的帶寬、能效、成本將決定未來3-5年市場格局,三星突破為其奠定基礎,SK海力士需守優勢,美光需解良率瓶頸,三強博弈將更激烈」。

四、國產存儲:機遇與挑戰並存

全球存儲失衡為國產企業帶來機遇:AI服務器推動企業級SSD、CXL DRAM需求激增,佰維存儲推出適配服務器的企業級SSD與CXL 2.0 DRAM,江波龍加速AI存儲佈局;國產替代趨勢下,兆易創新開發3D堆疊存儲方案,通過混合鍵合技術提升集成效率。

但挑戰顯著:HBM領域,國內尚未實現量產突破,核心技術(TSV、微凸點封裝)依賴海外;高端存儲產能與良率不足,AI服務器所需HBM、DDR5超90%市場份額被韓美廠商佔據。業內坦言,「國產存儲需在模組設計、場景適配積累經驗,加大先進封裝研發,才能逐步縮小差距」。

結語

三星入列英偉達供應鏈,不僅是企業合作突破,更是全球半導體產業鏈重構的縮影。在AI驅動的存儲超級週期中,HBM已成為AI算力的「核心基礎設施」。未來,HBM4量產、供需矛盾持續將推動存儲技術向高帶寬、低功耗演進,而三星的突破、三強博弈與國產探索,將共同塑造全球存儲市場的新生態。

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活動時間

2025年8月15日–10月15日

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