中國對美國出手:卡住14nm及以下芯片、256層+存儲,目標明確

Ofweek光電信息網
10/10

衆所周知,之前美國針對中國芯片產業,目標很明確,那就是卡住14nm的邏輯芯片,128層NAND閃存芯片,18nm的DRAM內存。

比這些產品更先進的製造設備,不允許賣給中國,美國想用這樣來拖慢中國芯片發展速度。

當然,後來中國突破了封鎖,比如邏輯芯片早突破了14nm,NAND閃存也突破了128層,DRAM也突破了18nm,但背後的困難,大家都是懂的,且就算突破了,且產能也有限,畢竟先進設備無法敞開買,只能通過國產替代,或舊設備改造。

但這樣只承受,不反抗,肯定不是我們的作法。

這不,在美國多輪半導體封鎖後,我們也開始反擊了,並且是針對美國的「精準反制」。

怎麼精準的?商務部正式宣佈——對14nm及以下邏輯芯片、256層及以上存儲芯片相關的稀土物項實施出口管制!

為何會是14nm及以下,256層及以上呢,因為這纔是先進芯片的關鍵製程。

如果卡高了,比如28nm芯片,比如128層存儲,那沒有意義,範圍太廣,傷人也傷自己。再低太了,那範圍又太小了,打不痛對方。

要知道中國一直以來,都掌握着全球60%以上的稀土產量、90%以上的冶煉能力,過去美國大量採購中國稀土,來進行芯片製造,進行軍工裝備等的生產,可以說高度依賴中國的稀土。

所以中國這次針對用於14nm及以下邏輯芯片,256層及以上的存儲芯片,真的是精準打擊了,同時這背後還有一個巨大的意義,那就是中國開始將將稀土出口與高端芯片製造能力直接掛鉤了。

這也意味着,不只美國可以卡中國的先進芯片,中國也一樣可以卡美國的先進芯片,之前不卡,是因為想讓美國迷途知返,誰知道這老六一點都不清白,所以讓他清醒一點。

接下來,估計在芯片產業上,雙方的博弈會進一步升級,所以接下來真正要拼的,還是中國在先進芯片上的製造能力,如果我們完全卡不住,照樣可以製造先進芯片,那麼美國就會真正敗下陣來了。

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