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來源：內容編譯自Yole。
半導體後端設備市場正在進入一個新時代。該市場曾一度由成熟且成本敏感的工藝主導，如今正被顛覆性的封裝技術和日益複雜的半導體器件重塑。預計2025年至2030年間，後端設備市場規模將從69億美元增長至98億美元，年複合增長率高達7.1%。
這種擴張不僅是產量增長的結果，也是深刻的技術變革重新定義行業的結果。隨着先進封裝成為高性能計算 (HPC)、人工智能 (AI) 和汽車應用的關鍵，後端不再是事後諸葛亮。相反，它已成為半導體性能和系統級集成的關鍵推動因素。
市場動態：通過複雜性實現轉型
半導體製造業正在快速發展，而後端是這一轉型的核心。從芯片架構到異構集成，再到HBM的興起，一系列因素共同推動了對新型設備的需求。
截至2025年，核心後端設備細分市場包括芯片鍵合機、倒裝芯片鍵合機、熱壓鍵合機 (TCB)、混合鍵合、引線鍵合、晶圓減薄、切割以及計量與檢測。雖然引線鍵合等傳統解決方案仍然具有市場潛力，但TCB和混合鍵合等先進技術纔是推動最重大變革的關鍵。
後端半導體設備：細分市場增長前景
熱壓鍵合 (TCB)： TCB 正迅速崛起，這得益於其在先進封裝，尤其是高功率磁體 (HBM) 集成中的核心作用。預計到 2030 年，其收入將增長至約 11 億美元，複合年增長率高達 13.4%。無助焊劑 TCB 是一項引人注目的創新技術，它能夠減少污染並提高可靠性。Hanmi、ASMPT、Kulicke & Soffa (K&S)、BESI 等供應商正在積極拓展這一領域，BESI 近期的 TCB Next 訂單凸顯了市場信心。
混合鍵合：混合鍵合是當今最具顛覆性的後端技術。它能夠實現低於 5 µm 的超細間距（無需焊料凸點），從而支持超高密度垂直堆疊，這對於人工智能、高性能計算 (HPC) 和基於芯片的設計至關重要。儘管該細分市場規模較小，但預計到 2030 年將達到約 4.77 億美元，複合年增長率高達 24.6%。臺積電 (SoIC)、英特爾 (Foveros Direct) 和三星 (X-Cube) 等行業領導者已率先採用該技術，而 BESI 及其與應用材料的戰略合作伙伴關係則使該公司處於設備創新的前沿。
芯片貼片機和倒裝芯片貼片機：傳統的芯片貼片機仍然不可或缺，並不斷發展，可提供±1 µm的貼裝精度、增強的視覺系統和卓越的熱控制。預計到2030年，受汽車、消費電子和工業電子產品應用的推動，芯片貼片機的收入將達到9.12億美元。
倒裝芯片鍵合機對傳統和先進的高密度封裝都至關重要，到2030年其市場規模將增長至6.62億美元以上。無助焊劑工藝和超細間距互連等創新技術正在實現更高的I/O密度和更佳的電氣性能。BESI、Hanmi、ASMPT和Shibaura等供應商在這一領域發揮着關鍵作用。
引線鍵合：儘管引線鍵合技術已日趨成熟，但其應用前景依然廣闊，尤其適用於成本敏感型和傳統應用。隨着超細引線（<15 µm）、銅鍵合和先進環路控制等技術的進步，引線鍵合技術不斷發展。預計到 2030 年，K&S 將保持強勁的市場領先地位，其收入將小幅增長至約 9.94 億美元。
晶圓減薄和切割：隨着設備外形尺寸的縮小和晶圓級封裝的激增，減薄和切割技術的需求強勁。
到2030年，晶圓減薄市場規模將增長至8.9億美元以上，這主要得益於超薄研磨（<50 µm）、化學機械研磨（CMP）和等離子輔助幹法減薄技術。DISCO和ACCRETECH（東京精密）等供應商正在均勻性和無損加工方面不斷創新。
預計到2030年，切割市場規模將達到約20億美元，並且該領域也在不斷發展。雖然刀片切割在大批量應用中佔據主導地位，但激光和等離子切割因其卓越的精度、更小的切口寬度以及更少的碎屑產生量，也正日益受到青睞。迪斯科憑藉先進的雙主軸刀片系統和飛秒激光創新技術，在切割領域處於領先地位。
計量與檢測：計量與檢測設備確保良率、可靠性以及符合嚴格的質量標準，尤其是在汽車和高性能計算領域。預計到2030年，該領域的收入將增長至約8.5億美元，這得益於缺陷分類、高分辨率光學和人工智能驅動分析技術的進步。KLA和Nova等多家供應商正引領該領域的創新。
主要市場參與者和投資
後端設備技術的增長得益於 OSAT 供應商和 IDM 廠商的戰略投資。
領先的 OSAT 廠商，例如 ASE、Amkor、JCET 和 SPIL，正在建設產能以滿足先進封裝的需求。
包括臺積電、英特爾、SK 海力士、美光和三星在內的代工廠和 IDM 廠商正在大力投資 HBM、小芯片和混合鍵合技術。
K&S、BESI、ASMPT、DISCO 和 Hanmi 等設備供應商持續推動技術變革的步伐，擴展產品組合，並推動精度、產量和工藝靈活性方面的創新。
技術創新：實現先進封裝
切割和減薄：刀片、激光和等離子切割技術使製造商能夠實現精細的切口寬度和低應力切割，這對於易碎器件至關重要。在晶圓減薄方面，等離子輔助技術和超薄研磨技術可提高電氣和熱性能，滿足行業對更小、更高效芯片的需求。
鍵合技術：芯片鍵合機正朝着高速貼裝和精密對準的方向發展。
倒裝芯片鍵合創新包括無助焊劑互連和超細間距。
TCB 對於 HBM 和細間距集成而言正變得不可或缺。
混合鍵合代表了終極互連方法，可為下一代設備提供卓越的密度和性能。
計量與檢測：自動光學檢測、人工智能驅動的缺陷檢測和預測分析正在提升質量保證。隨着先進封裝不斷突破精度和可靠性的極限，這些功能至關重要。
到2030年，後端設備市場規模將超過90億美元，這主要得益於7.1%的複合年增長率以及封裝技術的變革。雖然引線鍵合和芯片鍵合等成熟工藝仍然至關重要，但TCB、混合鍵合、晶圓減薄和先進的切割技術正在推動市場增長。
這一演變反映了行業正向高性能計算 (HPC)、人工智能 (AI)、汽車和 5G 應用的廣泛轉型，這些應用對性能、密度和可靠性至關重要。OSAT、代工廠、IDM 和設備供應商正在協調投資以滿足這些需求，確保先進封裝成為半導體創新的基石。
未來幾年，TCB和混合鍵合將成為關鍵的增長領域，而晶圓級工藝和檢測技術將確保良率和可靠性。隨着後端設備成為半導體制造的核心，其在提供下一代電子系統所需的性能和集成度方面將發揮關鍵作用。
參考鏈接
https://www.semiconductor-digest.com/advanced-packaging-fuels-growth-in-the-semiconductor-back-end-equipment-market/
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