臺積電的CoWoS-L技術已引起NVIDIA的高度關注。作為3D Fabric平臺的重要組成部分，CoWoS-L是CoWoS-S技術的延伸版本。其中，「L」代表局部硅互連（LSI），通過類似「硅橋」的技術，結合RDL中介層形成「重構中介層」。CoWoS-L技術憑藉更高的佈線密度和嵌入式深溝槽電容（eDTC），能夠實現更大尺寸的高效運算（HPC）芯片異質整合。其光罩尺寸可達3.3倍以上，甚至向4倍、...
網頁鏈接臺積電的CoWoS-L技術已引起NVIDIA的高度關注。作為3D Fabric平臺的重要組成部分，CoWoS-L是CoWoS-S技術的延伸版本。其中，「L」代表局部硅互連（LSI），通過類似「硅橋」的技術，結合RDL中介層形成「重構中介層」。CoWoS-L技術憑藉更高的佈線密度和嵌入式深溝槽電容（eDTC），能夠實現更大尺寸的高效運算（HPC）芯片異質整合。其光罩尺寸可達3.3倍以上，甚至向4倍、...
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