公衆號記得加星標⭐️，第一時間看推送不會錯過。來源：內容編譯自chosun。據韓媒chosun報道，三星電子正在考慮解散其致力於提高其10納米級第六代（1c）DRAM良率的特別工作組（TF），該DRAM將用於下一代高帶寬存儲器（HBM4）。此舉源於該公司決心在年內優先為英偉達量產HBM4。10nm級DRAM製程技術的發展順序為：1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）、1a（第四代）、1b（...
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