IT之家 10 月 14 日消息，中國台灣陽明交通大學（NYCU）聯合台積電、國立中興大學（NCHU）、美國斯坦福大學等機構，成功攻克自旋軌道力矩磁阻式磁性存儲器（SOT-MRAM）的核心材料難題。

SOT-MRAM 被視為下一代非揮發性存儲技術的重要方向。該研究由陽明交通大學助理教授黃彥霖主導，成果已於 9 月發表在《自然・電子學》上。

黃彥霖團隊成功開發出一種新方法，使 SOT-MRAM 關鍵材料 ——β 相鎢（β-W）在高溫製程中仍能保持穩定，為製造超高速、低能耗且具商業化潛力的存儲芯片奠定基礎。

▲ 圖源：陽明交通大學

該方案實現了四項業界首次驗證：

整合 CMOS 控制電路的 64Kb SOT-MRAM 陣列

最快達 1 納秒的超高速切換速度

超 10 年數據保存期

滿足高能耗敏感場景的低功耗特性

陽明交通大學表示，此項突破解決了存儲器領域十年未解之困 —— 傳統易失性存儲器（如 DRAM）速度快但斷電數據丟失，非易失性存儲器（如 Flash 閃存）能長期保存數據但速度受限。據IT之家所知，此前相變存儲器（PCM）、自旋轉移矩存儲器（STT-MRAM）等方案均存在速度、耐用性或功耗缺陷。

該技術將加速 SOT-MRAM 商業化進程，其高速、低功耗、非易失性特質有望推動以下領域變革：

人工智能與大語言模型：提升數據吞吐能效

移動設備：延長電池續航，增強數據安全

汽車電子與數據中心：提高熱應力下的可靠性並降低能耗