本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

2026年DRAM市場規模將接近1500億美元，其中HBM DRAM佔比約為31%，份額將翻一番。

全球最大的半導體存儲器和存儲盛會——「存儲器和存儲的未來」（FMS）於2025年8月5日至8月7日（美國時間）在美國加利福尼亞州聖克拉拉舉行。FMS包含主題演講、綜合講座、展覽等內容。

分析師 Jim Handy 以其對半導體存儲器和閃存的獨特見解而聞名。他的演講題目是「存儲器和存儲：現狀與未來預測」。他演講的環節名為「BMKT-101-1：市場分析師小組」，據 FMS 節目報道，共有五位分析師參與。Handy 是僅有的兩位公開發布演講幻燈片的分析師之一。

講座的提綱（目錄）涵蓋了「DRAM和HBM」、「NAND Flash和SSD」、「AI」、「CXL」、「Chiplet」、「全球議題」等廣泛主題。

Jim Handy將實際和預測的 DRAM 市場（全球市場、價值）分為 DDR 和 HBM 類型。他預計 2024 年 DRAM 市場規模將略高於 1000 億美元，其中大部分（略高於 85%）是 DDR DRAM。HBM DRAM 佔比較小（略低於 15%）。預計 DDR 市場也將比 2023 年大幅增長。然而，預計 2025 年和 2026 年 DDR 市場將幾乎沒有增長。相反，HBM DRAM 預計將實現顯著增長。2026 年 DRAM 市場規模將接近 1500 億美元，其中 HBM DRAM 佔比約為 31%，份額將翻一番。DDR DRAM 的份額將下降至約 69%。

全球 DRAM 市場（DDR 和 HBM）表現及預測。橫軸代表年份，縱軸代表金額（單位：十億美元）。HBM 市場將從 2025 年起大幅增長。

數據中心投資將從 2023 年底開始大幅增長

接下來是各大雲服務公司在超大規模數據中心（DRAM 的主要應用領域）的投資額（有形固定資產）的季度趨勢。涵蓋的時間範圍為四年半，從 2021 年第一季度到 2025 年第二季度。納入的服務公司（或服務名稱）包括 Alphabet（谷歌）、Meta、亞馬遜（AWS）、Azure（微軟）、阿里巴巴和蘋果。

這六家公司（六項服務）的固定資產（有形固定資產）支出總額在 2021 年第一季度（1Q21）至 2023 年第三季度（3Q23）期間有所波動，但平均保持不變（約為 400 億美元）。

這一數字自2023年第四季度（4Q23）以來持續快速增長。2024年第四季度（4Q24）至2025年第一季度（1Q25），總額達到約800億美元。這意味着，在短短一年半的時間裏，從2023年第三季度（3Q23）的約400億美元翻了一番。最近的2025年第二季度（2Q25），投資額進一步上升，接近1000億美元。

主要雲服務公司在超大規模數據中心的投資額（有形固定資產）的季度趨勢。服務公司（或服務名稱）從下到上依次為「Alphabet（谷歌）」、「Meta」、「亞馬遜（AWS）」、「Azure（微軟）」、「阿里巴巴」和「蘋果」。縱觀每家公司（服務），可以看出「Alphabet（谷歌）」、「Meta」、「亞馬遜（AWS）」和「Azure（微軟）」的投資額從2023年底到2025年上半年都在增加。

2025年4月後DDR4 DRAM單價將飆升

最後一張幻燈片是關於 DRAM 每內存容量的單價。

由於三大 DRAM 公司在 2025 年底停止生產 DDR4 DRAM，部分中國 DRAM 供應商在 2024 年對 DDR4 DRAM 發起極低價格攻勢，DDR DRAM 市場似乎正處於動盪狀態。

Handy 在 FMS 演講中展示的幻燈片展示了 DDR4 DRAM 和 DDR5 DRAM 每內存容量（千兆字節 = 8Gbit）的單價（現貨市場最低價格）趨勢。

從2024年3月到2025年3月的13個月裏，DDR4系列內存單價穩步下降，2024年3月約為1.50美元，但到2025年3月則跌至1.00美元左右，跌幅約為三分之二。在此期間，DDR5系列內存單價基本保持穩定在2美元左右。

然而，從2025年4月開始，DDR4系列的單價開始大幅上漲，到同年6月將突破2美元，與DDR5系列的價格大致持平。更重要的是，DDR5系列的單價從2025年3月開始也呈現上漲趨勢。這表明整個DDR系列都出現了供應短缺的情況。

內存容量短缺引發2026年供應鏈混亂

隨着全球製造商爭相向上游供貨，以確保2026年的DRAM產能，內存行業面臨嚴重的產能緊縮，這引發了人們對供應鏈中斷的擔憂。儘管明年主要供應商新增產能有限，但預計需求將超過供應，這將給內存模塊製造商帶來潛在的短缺壓力，並導致採購成本飆升。

業內人士承認，目前 DRAM 缺口已超出預期，促使主要參與者之間展開激烈競爭，爭奪 2026 年的供應。然而，目前尚未有任何一家原始設備製造商 (OEM) 明確承諾供應量，這迫使買家「搶購所有庫存」，因為人們越來越擔心中小企業到 2026 年底可能面臨庫存空置的情況。

雖然 NAND 閃存也面臨供應緊縮的問題——預計第四季度價格將上漲約 25%——但其更廣泛的供應商基礎提供了更為穩定的供應。相比之下，DRAM 市場仍存在很大的不確定性；價格上漲並不能保證採購成功，DDR4 仍然稀缺。

慧榮科技總裁強調，蓬勃發展的人工智能推理應用推動了大容量存儲需求，尤其增加了DRAM需求。他警告稱，全球存儲產品短缺的局面可能持續到2027年，這可能導致供應鏈中斷，許多小客戶可能會轉向二手或回收的組件。各大DRAM和NAND生產商的資本支出計劃各不相同，反映出在經歷了過去的困境後，市場謹慎樂觀的態度。

威剛利用早期低成本庫存儲備，在 2024 年實現收入增長 20%，在全球內存模組供應商中排名第二。

然而，其董事長承認，儘管持有超過 100 億新臺幣（約合 3.267 億美元）的庫存，內部採購團隊仍面臨壓力，他敦促銷售人員定量供應產品並優先考慮關鍵客戶。

Adata 的目標是將庫存價值提高到 200 億新臺幣，但面臨來自雲服務提供商和其他模塊製造商的激烈競爭。

宜鼎國際董事長指出，同行已在預期需求激增之前做好了庫存準備，近期營收將反映出出貨量和平均售價的增長。緊迫的問題仍然是庫存耗盡後如何管理，重點是確保2025年第四季度至2026年的出貨量。

原始設備製造商產能擴張落後於2026年需求激增

目前領先的內存 OEM 廠商的擴張計劃表明，2026 年的產能增長將無法滿足市場需求，預計只有 2027 年纔會出現顯著的新增產量。

三星電子平澤 P3 工廠的目標是到 2026 年底達到每月 115,000 片晶圓的產能，而其 P4 工廠將於 2025 年完工，並於 2026 年下半年開始量產。

SK海力士受益於高帶寬存儲器（HBM）強勁的銷售業績，其在韓國和中國的產能均已滿負荷運營。其M15X晶圓廠將於2025年第四季度完工，專注於HBM3E和HBM4的生產。位於龍仁的一座規模更大的新工廠最近已開工建設，一期工程預計將於2027年第二季度竣工。

美光位於新加坡的先進 HBM 封裝工廠投資 70 億美元開工建設，目標是在 2026 年投入運營，並在 2027 年大幅擴大後端產能。其位於愛達荷州 (ID1) 的晶圓廠是美國首個大批量 DRAM 工廠，預計在 2027 年底纔會生產出第一批晶圓。

南亞科技預計 2026 年將維持相對較低的資本支出，2027 年完成新產能，並預計明年出貨量僅增長 10%。

總體而言，存儲器行業警告稱，2026 年 DRAM 產能增長無法跟上不斷增長的需求。儘管有利的市場條件可能持續到 2026 年，但在採購方面處於劣勢的存儲器模塊製造商可能面臨更高的投入成本，以及客戶承受價格上漲意願的減弱。這種情況將危及強勁的營收數據，同時帶來出貨量下降和利潤率壓力，從而導致供應競爭空前激烈。

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