快科技10月20日消息，據報道，三星計劃加大對極紫外（EUV）光刻設備的投資，購買新一批EUV光刻設備。

其中，存儲部門將部署五套專用標準EUV設備，以建立獨立生產線，三星位於平澤的晶圓代工廠和存儲生產線此前曾共用EUV設備。

同時三星將為晶圓代工部門新增兩套最新的High NA EUV設備，三星計劃在2025年底和2026年初分別交付一套，用於其2nm製程的全面生產，其中一套將部署在華城廠區，另一套則可能部署在泰勒晶圓廠。

數據顯示，一套標準EUV設備的成本約為3000億韓元（約合人民幣15億元），而一套High NA EUV設備的成本約為5500億韓元（約合人民幣28億元）。

因此，三星在EUV方面的總支出約為2.6萬億韓元，這也彰顯了其在2nm晶圓代工領域的雄心。

High NA EUV光刻機是下一代芯片製造的關鍵技術，與傳統EUV相比，它能提供1.7倍更精細的電路圖案和2.9倍更高的晶體管密度，光學精度提升了40%。

這對於生產密度更高、更節能、性能更強大的2nm代工芯片以及先進存儲產品（如垂直通道晶體管DRAM和第六代HBM4）至關重要。