2016 年 350 項 → 2023 年 932 項:臺積電佈局光刻專利,遙遙領先三星英特爾

IT之家
10/22

IT之家 10 月 22 日消息,集邦諮詢 Trendforce 今天(10 月 22 日)發佈博文,報道稱在先進製程競賽中,臺積電正通過專利佈局擴大技術護城河。2016 至 2023 年,臺積電每年提交的光刻技術專利申請量近乎翻倍,拉大了與三星英特爾的差距。

該機構援引專利研究工具 Patentfield 數據,分析了在日本、美國、歐洲、中國等地提交的專利申請,重點關注國際專利分類號為「H01L21」(涵蓋半導體光刻設備)以及包含「光刻」和「EUV」關鍵詞的專利。

IT之家援引博文介紹,數據顯示,臺積電在「H01L21」分類下的專利申請量自 2010 年代中期以來急劇上升,2023 年達到 1548 件,約為 2016 年(723 件)的 2.1 倍。

圖源:日媒 Nikkei XTECH

同時,包含「光刻」關鍵詞的專利申請也呈現類似趨勢,2023 年申請量為 932 件,相比 2016 年的 350 件增長了 1.7 倍。

圖源:日媒 Nikkei XTECH

除了臺積電,報告還提到了一個意想不到的參與者 ——IBM。這家美國公司雖然在 2014 年退出了半導體製造業,但其位於紐約奧爾巴尼的研究中心仍在持續開發包括光刻在內的先進製程技術。

報告還指出,在 2nm 級別技術的開發中,IBM 已與日本半導體公司 Rapidus 建立了合作伙伴關係。這一動向表明,即便不參與生產,掌握核心技術的研發機構依舊在行業中擁有重要話語權。

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