海外利好頻傳,存儲芯片板塊漲聲一片!

財華社
2025/10/24

10月24日,存儲芯片概念股暴動,截至收盤,$普冉股份(688766)、$香農芯創(300475)漲20%,$恒爍股份(688416)升逾18%,江波龍(301308.SZ)漲16.73%,華虹公司(688347.SH)、佰維存儲(688525.SH)、德明利(001309.SZ)均大漲。

港股方面,華虹半導體(01347.HK)漲13.73%,中芯國際(00981.HK)升逾8%。

消息面,三星電子與SK海力士已在第四季度將其DRAM和NAND閃存的價格上調最高達30%,並將新的價格體系傳導至客戶,這也反映出當前存儲市場供需失衡的緊張狀況。

其他存儲產商亦有動作。根據花旗集團和摩根士丹利的預測,今年第四季度,DRAM平均售價將上漲25-26%,漲價熱潮或進一步加劇。

近年來,AI技術狂飆突進,數據中心基建加速,驅動上游的存儲芯片需求激增。在AI時代,存儲芯片已從配角躍升為核心瓶頸與突破口,AI浪潮正引爆一場「存力」革命。

值得注意的是,不少大客戶積極行動,與頭部存儲產商洽談中長期供應合同。

此前OpenAI的掌門人奧特曼訪問韓國期間與三星電子、SK海力士達成戰略合作伙伴關係,就「星際之門」項目每月向兩家公司採購90萬片晶圓。雖然該事件被部分人質疑為「畫餅」,但卻極大提振了資本市場情緒,進一步推高了存儲市場的漲價預期。

具體而言,本輪存儲芯片漲價主要由HBM芯片所代表。

美光公司首席商務官蘇米特·薩達納曾表示,DRAM價格上漲部分原因是供應緊張,而這一趨勢很大程度上是由HBM需求激增推動的,因為HBM消耗的晶圓容量是標準DRAM的三倍多。

近年來,由於大模型參數規模與訓練數據量的爆炸式增長,傳統內存技術已成為制約算力發揮的「內存牆」,而HBM憑藉其超高帶寬、低功耗和小體積特性,正成為AI芯片的主流選擇,其需求迅猛增長,成為存儲芯片賽道中的「香餑餑」。

除了高端的HBM芯片需求強勁,傳統的DRAM和NAND芯片亦供不應求。隨着人工智能投資從大容量數據訓練轉向推理,傳統存儲芯片需求也有望跑出加速度。

根據韓國KB證券研究主管Jeff Kim預計,若當前漲勢持續,明年非HBM內存芯片的盈利能力甚至可能將超越HBM。

展望後市,不少機構看好本輪存儲大周期的持續性。

摩根士丹利預測,鑑於明年存儲領域可能出現供需失衡,內存芯片行業將迎來 「超級周期」。市場需求高企的背景下,存儲芯片行業也開始出現供不應求、漲價、轉變訂貨模式等一系列連鎖反應。

另有分析人士指出,AI服務器存儲產品的漲價潮或延續至2026年。國內存儲公司有望繼續受益於「價格回升+國產替代」的雙重驅動。疊加消費電子需求提升,國內存儲芯片公司開工情況穩中向好。這或許也是近期國內存儲芯片概念股輪番表現的重要原因。

作者:飛魚

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