10月23日，據台灣媒體報道，全球領先的半導體製造商台積電在面對技術節點進一步微縮至1.4納米（A14）及1納米（A10）的新制造瓶頸時，做出了重大決策：放棄採購單價高達4億美元的ASML高數值孔徑（High-NA）EUV光刻機。理論上，採購荷蘭ASML公司尖端的高數值孔徑EUV光刻機是解決這一技術難題的直接方案。然而，最新報道指出，台積電並未選擇這一路徑，而是決定採用「光掩模護膜」技術作為替代...
網頁鏈接10月23日，據台灣媒體報道，全球領先的半導體製造商台積電在面對技術節點進一步微縮至1.4納米（A14）及1納米（A10）的新制造瓶頸時，做出了重大決策：放棄採購單價高達4億美元的ASML高數值孔徑（High-NA）EUV光刻機。理論上，採購荷蘭ASML公司尖端的高數值孔徑EUV光刻機是解決這一技術難題的直接方案。然而，最新報道指出，台積電並未選擇這一路徑，而是決定採用「光掩模護膜」技術作為替代...
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