10月23日，據臺灣媒體報道，全球領先的半導體製造商臺積電在面對技術節點進一步微縮至1.4納米（A14）及1納米（A10）的新制造瓶頸時，做出了重大決策：放棄採購單價高達4億美元的ASML高數值孔徑（High-NA）EUV光刻機。

理論上，採購荷蘭ASML公司尖端的高數值孔徑EUV光刻機是解決這一技術難題的直接方案。然而，最新報道指出，臺積電並未選擇這一路徑，而是決定採用「光掩模護膜」技術作為替代方案，以推進其2納米等先進製程的研發與生產。

臺積電的這一決策主要基於成本考量。一臺高數值孔徑EUV光刻機的售價高達4億美元，對於公司而言是一筆巨大的資本開支。臺積電認為，該設備目前帶來的價值與其高昂的價格並不匹配。因此，公司選擇了一條成本更低的路徑，即在現有標準EUV光刻機上，通過引入光掩模護膜，保護光掩模在光刻過程中免受灰塵等微粒污染，從而實現更精密的芯片製造。

儘管光掩模護膜方案能夠規避鉅額的設備採購費用，但它也帶來了新的技術挑戰。使用標準EUV光刻機生產1.4納米和1納米級別的芯片，需要進行更多次曝光才能達到所需精度。這意味着光掩模的使用頻率會大幅增加，不僅拖慢生產節奏，還可能對芯片良率構成潛在風險。臺積電需要通過大量的「試錯」來優化生產的可靠性，這無疑是一場技術上的攻堅戰。

此外，臺積電拒絕採購高數值孔徑EUV光刻機的另一個原因可能在於其供應量的限制。據瞭解，ASML每年僅能生產五到六臺此類設備。對於需要採購多達30臺標準EUV光刻機以滿足蘋果等大客戶龐大需求的臺積電而言，將鉅額資金投入到少數幾臺設備上，並不符合其長期產能規劃。

在此背景下，臺積電的決策不僅體現了其對成本控制的嚴格把控，也顯示了公司在技術創新和產能規劃上的深思熟慮。未來，臺積電如何通過光掩模護膜技術克服技術挑戰，實現先進製程的穩定生產，將成為業界關注的焦點。

值得一提的是，臺積電的這一決策也反映了全球半導體產業在技術升級與成本控制之間的微妙平衡。隨着製程技術的不斷進步，設備投資的鉅額成本成為企業必須面對的難題。臺積電的選擇或許將為其他半導體製造商提供新的思路和借鑑。