臺積電自研EUV光罩保護膜 推遲導入High-NA EUV光刻機

芯智訊
10/24

10月22日消息,光罩大廠Tekscend Photomask(科盛德光罩)近日於日本東京證交所掛牌上市,募資規模達1,566億元日元。而隨着Tekscend Photomask的上市,象徵着半導體產業前進至埃米制程,扮演最前端製程的光罩重要性大大增加。

供應鏈指出,光罩好比芯片製作的底片,光罩受污染會導致無法提升最終良率。因此,臺積電自研光罩保護膜(Pellicle),主要因為2nm以下光罩開發成本昂貴,製程須加上防止灰塵與顆粒的護膜,做為關鍵防護作用。顯示臺積電維持採購標準EUV光刻機生產A14、A10製程。

Tekscend Photomask前身為日本凸版印刷(Toppan Holdings)旗下公司,IPO上市規模為今年日本第二大,核心業務包括90至1nm製程節點的半導體光罩,包含EUV、OPC(相位移光罩技術)、PSM(光學近接修正光罩技術)。

晶圓代工龍頭過往大多采用無保護膜的EUV光罩,以提高透光性,但進入2nm及更先進製程,需要EUV曝光的次數將大大增加,為增加光罩使用壽命及降低先進製程資本密集度等,臺積電開始投入自研EUV光罩保護膜,提升EUV設備的曝光性能及生產效率。

此前臺積電已經宣佈,將不會在A16/A14製程當中導入價格高達3.7億美元的High NA EUV光刻機。業界分析,EUV光刻工藝的持續優化,有助於埃米程繼續採用標準EUV光刻機,臺積電延後導入High-NA EUV光刻機,可以直接降低折舊壓力。

光罩保護膜用於防塵,有助提升EUV生產效率。不過,膜厚設計將對微影製程的曝光波長造成影響,因此透光度及材料選擇將至關重要。據悉,現階段不管是相關鍍膜材料及設備均由國外大廠供應,而臺廠當中,天虹則從光罩護膜檢測設備切入。因此,相關設備、耗材等供應鏈也有望迎來新契機。

隨着光罩外包比重將提高,其中Tekscend的EUV光罩營收佔比目標,將從2024年之35%提升至2028年的55%。相比之下,臺企臺灣光罩將鎖定成熟製程,將有外溢效果。

此外,光罩盒提供光罩運輸與儲存時安全防護、避免靜電損害,臺企家登精密也有望因此受益。

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