臺積電:放棄採購ASML頂級光刻機!

21ic電子網
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臺積電炸了!放棄採購4億美元ASML頂級光刻機!

10月23日消息,據臺媒報道,隨着技術節點進一步微縮 1.4 納米(A14)及 1 納米(A10),臺積電面臨新的製造瓶頸,該公司決定放棄採購單價高達 4 億美元的 ASML 高數值孔徑(High-NA)EUV 光刻機。

臺積電正掀起一場 「技術豪賭」!面對 1.4 納米(A14)、1 納米(A10)製程的終極瓶頸,它直接拒絕了荷蘭 ASML 單價 4 億美元的 High-NA EUV 光刻機 —— 這可是行業公認的 「破局神器」,說不買就不買,直接顛覆行業預期!

不砸錢買 「神器」,偏走 「低成本野路子」

按常理,要啃 1 納米、2 納米的硬骨頭,採購 ASML 的 High-NA EUV 光刻機是最直接的路。但臺積電偏要反着來,把寶押在了 「光掩模護膜」 技術上,核心原因就一個:成本太炸了!

4 億美元一臺的光刻機,對誰都是天價。臺積電算得明明白白:這設備現在能帶來的價值,根本配不上它的價格,純屬 「花錢不討好」。

光掩模護膜是啥?就是在現有 EUV 光刻機上 「加 buff」—— 給光掩模套層保護罩,擋住灰塵污染,靠這套操作硬衝更精密的製程,直接省下幾十億採購費。

省錢的代價:生產要 「死磕」,良率懸了

但 「野路子」 沒那麼好走,臺積電這步棋也踩進了新坑。用老設備衝 1 納米,技術難度直接拉滿:

曝光次數要翻倍。想達到精度,得反覆曝光好幾次,生產節奏直接變慢,效率肉眼可見地降。

良率成了 「定時炸彈」。光掩模用得越頻繁,出問題的概率就越高,芯片報廢風險直線上升。

現在的臺積電,等於抱着 「試錯」 硬扛 —— 得靠無數次調試優化可靠性,這根本不是簡單升級,而是一場賭上未來的技術攻堅戰!

另一個隱情:ASML 產能 「卡脖子」

除了成本,ASML 的產能也把臺積電逼到了牆角。要知道,ASML 每年頂多造 5-6 臺 High-NA EUV 光刻機,數量少得可憐。

而臺積電是什麼量級?單靠標準 EUV 光刻機,它就得買 30 臺才能餵飽蘋果這些大客戶的需求。要是把錢砸在沒幾臺的 「稀缺貨」 上,長期產能根本沒法保證,這買賣怎麼算都不划算。

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