漲價前所未見

10月25日，據存儲產業鏈相關人士透露，部分原廠的Dram和Flash產品已暫停報價，即使報價，價格有效期也較短，且波動頻繁。

針對這種情況，國內產業鏈亦受到不小影響。

江波龍證券部人士表示，公司有存貨，上游漲價對公司毛利率有促進作用。

普冉股份證券部人士稱，自四季度開始，公司面臨一些供給緊張的情況，正在與下游客戶商議價格漲幅。

香農芯創證券部人士則表示，作為分銷商，存儲上游漲價對公司毛利率影響較小，主要影響來自量的變化。

一、漲勢驚人：超級漲價周期來襲

當前，存儲芯片市場正經歷着一場罕見的漲價潮。自上半年起，這波漲勢便已開啓，直至第四季度，不僅沒有放緩的跡象，反而愈發猛烈。

國內一家存儲模組廠的員工感慨：「這次漲價的特別之處在於，我在這個行業這麼多年，之前從未見過漲價周期能夠持續這麼久。」

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從具體數據來看，CFM 閃存市場報價顯示，產業上游成本急速攀升，DDR4 16Gb 3200 現貨報價本周達到 13.00 美元，較上周暴漲 30%；512Gb Flash Wafer 價格 10 月以來累計漲幅也已超過 20% 。存儲產業鏈人士透露，原廠的部分 Dram 和 Flash 產品已停止報價，即便報價，價格也是 「一天一個價」 。TrendForce 集邦諮詢分析師許家源預計，DRAM 的整體價格（加計 HBM）在第四季度將季增 13%-18%。

這種長時間的產業鏈全面上漲，堪稱 「超級周期」，讓衆多存儲從業人士直呼前所未見。在資本市場，10 月 24 日，A 股存儲芯片概念再度爆發，普冉股份、香農芯創強勢 20% 漲停，佰維存儲、江波龍等升逾 10%，足見市場對這輪漲價周期的高度關注。如此驚人的漲勢背後，究竟有着怎樣的深層原因？

二、漲價背後：AI 打破供需天平

這輪存儲芯片漲價潮的核心驅動力，是 AI 技術發展帶來的供需結構變化。隨着 AI 大模型的不斷迭代升級，如 ChatGPT、文心一言等的出現，全球雲服務供應商開啓 「囤貨模式」 。

以 OpenAI 的 「星際之門」 項目為例，其每月消耗的 DRAM 晶圓量接近全球總產能的 40%。單台 AI 服務器的存儲需求是傳統服務器的 5-20 倍，且需搭配高帶寬內存（HBM），HBM3E 的帶寬達 1.2TB/s，單價較上一代提升 60%-70%，這種 「量價齊升」 的需求直接打破了傳統存儲市場的供需平衡。

在總產能有限的情況下，存儲巨頭們為了追求更高的利潤，紛紛將產能重點轉向 HBM 和 DDR5 等高端產品。三星、SK 海力士、美光等從 2024 年起系統性削減 DDR4/LPDDR4X 產能。三星計劃 2025 年底完全停產 DDR4，SK 海力士將 DDR4 產能佔比壓縮至 20% 。

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由於 HBM 所消耗的晶圓容量是標準 DRAM 的三倍多，使得存儲巨頭們將產能重點轉向利潤更高的 HBM 和 DDR5。這就導致了傳統消費電子所需的 DDR4、LPDDR4X 等舊制程產品供給被擠壓，開始面臨 「計劃性犧牲」 而供應緊缺 。

從今年一季度開始，DDR4 的原廠價格就持續走高。一款金士頓的 DDR4 台式機內存條，價格從今年 3 月開始急速上漲，目前售價已超去年同期兩倍。

手機等終端市場也受到波及。23 日發售的 Redmi K90 系列手機部分版本售價較上一代上調了 100-400 元不等，小米集團總裁盧偉冰表示，來自上游的成本壓力，已真實地傳導到了新品定價上，存儲成本上漲遠超預期且會持續加劇。 這種 AI 驅動的產能轉移，引發了產品供應的結構性失衡，進而導致整個存儲市場的漲價。

三、市場百態：各環節的應對之策

在這場存儲芯片漲價潮中，國內存儲產業鏈各環節紛紛採取不同策略來應對。

對於模組廠，囤貨成為關鍵策略。江波龍證券部人士表示，上游漲價對公司毛利率有正向貢獻，因其提前儲備存貨。

從八月起，衆多模組廠積極儲備顆粒及晶圓庫存，並調漲模組產品定價。不過，並非所有模組廠都如此，朗科科技採取 「清庫存」 運營模式，庫存量少，業績波動性相對較小 。

芯片設計公司和分銷商則依賴產業鏈的價格傳導。普冉股份證券部人士稱，公司正與下游客戶商談漲價，試圖在供給緊張的四季度實現價格漲幅。分銷商香農芯創表示，分銷業務毛利水平穩定，上游採購價漲，分銷給下游的價格也會漲，主要受量的變化影響，毛利變化不大。

國際原廠的漲價還使得部分國產廠商轉向國內晶圓廠，讓國內晶圓廠從中受益，原廠獲利顯著擴大已成為行業共識 。

四、國產機遇：擁抱 AI 新周期

在這場由 AI 引發的存儲芯片行業變革中，國產廠商迎來了難得的發展機遇，正加速擁抱 AI 新周期 。

國內企業積極擴大企業級 SSD 等產品供應，將目光投向 HBM、先進封裝和服務器 DDR5 等高附加值領域 。在國產 HBM 產業鏈中，檢測設備、先進封裝等環節已相對成熟。

賽騰股份在投資者平台表示，其 HBM 檢測設備已獲海外大客戶認可並批量出貨，國內市場也在積極開拓 ；中微公司公開表示，已在先進封裝領域（包含高寬帶存儲器 HBM 工藝）全面佈局，涵蓋刻蝕、CVD、PVD、晶圓量檢測設備等，且已發布 CCP 刻蝕及 TSV 深硅通孔設備 。

佰維存儲的晶圓級先進封測制項目正處於投產準備過程，項目完成後將為客戶提供 「存儲 + 晶圓級先進封測」 一站式綜合解決方案，提升公司在存算整合領域的核心競爭力 。

許家源預測，隨着各大原廠 HBM 產能釋放，2026 年 HBM3e 可能面臨供過於求壓力，但新世代的 HBM4 技術門檻高，仍會供不應求 。國產廠商在這一變革時期積極佈局，有望在全球存儲芯片市場中佔據更有利的地位，推動產業邁向新的高度 。