前言近年來,從充電頭網多款拆解報告中我們可以看到,英諾賽科推出的GaN功率器件廣泛應用於大功率快充LLC電路中。在傳統的LLC電路中常常選用高壓MOS作為初級功率器件應用。然而隨着快充功率需求和功率密度的不斷攀升,傳統硅MOS逐漸成為瓶頸,限制了整體功率密度的提升。此時,英諾賽科的氮化鎵功率器件憑藉其優異的高頻特性和低損耗優勢,為LLC架構帶來了新的突破空間。英諾賽科在快充LLC電路的應用文中出現...
網頁鏈接前言近年來,從充電頭網多款拆解報告中我們可以看到,英諾賽科推出的GaN功率器件廣泛應用於大功率快充LLC電路中。在傳統的LLC電路中常常選用高壓MOS作為初級功率器件應用。然而隨着快充功率需求和功率密度的不斷攀升,傳統硅MOS逐漸成為瓶頸,限制了整體功率密度的提升。此時,英諾賽科的氮化鎵功率器件憑藉其優異的高頻特性和低損耗優勢,為LLC架構帶來了新的突破空間。英諾賽科在快充LLC電路的應用文中出現...
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