在氮化鎵（GaN）功率器件正加速滲透AI數據中心和消費電子市場之際，功率半導體巨頭安森美（onsemi）於10月30日宣佈了一項重大技術突破，推出其全新架構的「垂直氮化鎵（vGaN）」功率半導體。這一基於「GaN-on-GaN」（在GaN襯底上生長GaN）技術的新架構，徹底改變了傳統GaN器件的電流傳導方式，旨在為AI數據中心、電動汽車和可再生能源等高壓應用，樹立全新的效率與功率密度標杆。核心技術...
網頁鏈接在氮化鎵（GaN）功率器件正加速滲透AI數據中心和消費電子市場之際，功率半導體巨頭安森美（onsemi）於10月30日宣佈了一項重大技術突破，推出其全新架構的「垂直氮化鎵（vGaN）」功率半導體。這一基於「GaN-on-GaN」（在GaN襯底上生長GaN）技術的新架構，徹底改變了傳統GaN器件的電流傳導方式，旨在為AI數據中心、電動汽車和可再生能源等高壓應用，樹立全新的效率與功率密度標杆。核心技術...
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