智通財經APP獲悉，東方證券發佈研報稱，SST長期有望成為數據中心直流供電變壓方案的最佳選擇，英偉達(NVDA.US)在AIDC白皮書中指出將SST方案作為遠期供電架構主流技術方案。HVDC、SST等供電新方案方向明確，AI服務器及數據中心需求有望打開SiC/GaN功率器件成長空間。此外，HVDC、SST等供電新方案的發展以及SiC/GaN功率器件的成熟有望助力服務器電源廠商打開市場空間。

東方證券主要觀點如下：

AIDC高壓、高效成為重要趨勢，HVDC、SST等供電新方案需求方向明確

從通算到智算，AIDC的電力需求激增，高壓、高效成為重要趨勢。現有供電鏈路包含多級AC/DC與DC/DC轉換，層層損耗讓效率降低，增加了故障點與維護負擔。隨着單機櫃功耗的不斷提升，繼續採用傳統交流配電方案將推高下一代數據中心部署的資本支出和運營成本。因此，更高效、更緊湊、更智能的供電架構已成為迫切需求。基於提升數據中心供電效率的要求，英偉達聯合產業鏈夥伴提出使用800VHVDC供電架構，有望大幅提升供電效率、節省電費。進一步地，SST固態變壓器有望成為未來主流的供電系統變壓方案。SST通過電力電子技術實現能量傳遞和電力變換，與傳統變壓器比，SST具有效率更高、電力品質更好、模塊化程度高、性能穩定等優點，能大幅提升空間利用率和供電效率。SST長期有望成為數據中心直流供電變壓方案的最佳選擇，英偉達在AIDC白皮書中指出將SST方案作為遠期供電架構主流技術方案。

部分投資者認為SiC/GaN行業未來成長空間可能有限

根據Yole和灼識諮詢數據，2024年碳化硅在全球功率半導體中的滲透率為4.9%;根據弗若斯特沙利文數據，2023年氮化鎵在功率半導體中的滲透率為0.5%。由於碳化硅車型在新能源車領域的滲透率逐步邁向較高水平等原因，部分投資者認為寬禁帶半導體未來需求成長空間可能有限。

該行認為，HVDC、SST等AIDC供電新方案對SiC/GaN器件需求提升，有望打開產業成長空間

相比傳統硅基器件，寬禁帶半導體器件能提高電源功率密度，減小變壓器體積。未來HVDC供電架構中，SST、DC-DC電源等環節對SiC/GaN均具有較強確定性需求。英偉達已經宣佈與納微半導體、英諾賽科、英飛凌等多家SiC/GaN廠商合作。該行認為，SiC/GaN在AIDC供電系統中的應用潛力尚未完全挖掘，根據行家說三代半公衆號及納微半導體數據，到2030年應用於800VHVDC數據中心供電系統的SiC/GaN市場規模可達27億美元。未來，AI算力設施SiC/GaN器件需求有望持續提升，打開產業成長空間。

風險提示

消費電子需求不及預期，AI落地不及預期，競爭格局變化。

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