內存漲得比房價還快、一條內存漲成理財產品的記憶還未遠去，2025 年的存儲市場又掀起了熟悉且誇張的漲價潮。

三星、SK 海力士、美光三大巨頭集體暫停合約報價的舉動，讓不少行業人士想起了 2017 年那場席捲全球的存儲風暴。

2017-2018漲價狂潮回顧

2017 年的存儲漲價堪稱近 30 年最瘋狂。這波行情的起點，是三星等巨頭的產能大調轉——為搶佔 3D NAND Flash 的增長風口，它們紛紛縮減 DRAM 產能，將產線轉向新賽道。

當時三星逾七成 DRAM 產能被蘋果、OPPO 等手機廠商包走，留給 PC 等領域的貨量本就緊張，疊加其他廠商 3D NAND 製程良率不佳，供需缺口瞬間拉大。

雪上加霜的是密集的工廠事故。2017 年 7 月鎂光臺灣工廠氮氣泄露，報廢 6 萬片晶圓；10 月東芝與西數合資廠 10 萬片晶圓報廢；三星晶圓廠還突發停電導致芯片損壞。

這些意外讓全球 DRAM 價格累計漲幅突破 130%，僅 2017 年首季標準型 DRAM 漲幅就超 30%，服務器用 DRAM 漲了 25%-30%。

市場亂象隨之而來：全球最大存儲模組商金士頓 50 多億元庫存一個月就能賣光，渠道商囤貨炒作風盛行，甚至出現大量假性需求。

最終，手機、PC 廠商尤其是二線品牌深受其害，出貨量因存儲成本飆升而承壓。

2018 年價格雖趨緩，但三星西安工廠停電等事故仍不時擾動市場，3.5% 的全球 NAND 供應受影響，漲價餘波持續許久。

2025新一輪超級存儲週期開啓

時隔八年，存儲市場的緊張氣氛再度拉滿。

2025 年 10 月，三星率先暫停 DDR5 DRAM 合約定價，SK 海力士和美光迅速跟進，原本應及時公佈的合約價格被推遲至 11 月中旬，三大巨頭集體進入報價真空期。

這一看似突然的舉動，直接引發現貨市場的劇烈震盪。截至 10 月底，DDR5 16Gb 芯片價格從 9 月底的 7.68 美元飆升至 15.5 美元，月漲幅高達 102%，其中僅一週時間就暴漲 25%。更值得警惕的是，這種漲價已從 DRAM 蔓延至閃存領域：自 9 月以來，512Gb TLC 閃存晶圓價格穩步攀升至 5 美元，1Tb TLC/QLC 晶圓價格也達到 6.5-7.2 美元區間，形成全品類漲價態勢。

此次漲價的邏輯與 2017 年高度相似，除了缺少密集的工廠事故。

供應端，三大巨頭延續了控產保價的策略，不僅暫停合約報價，還將產能向高利潤的 HBM（高帶寬內存）等領域傾斜，導致主流 DDR5 產能受限。

這種策略與 2017 年通過製程轉換收縮產能的做法異曲同工，本質都是通過控制供給主導市場價格。

需求端則迎來新的增長引擎 ——AI 服務器對高容量、高性能內存的需求呈爆發式增長，僅 AI 領域的訂單就佔據全球 DRAM 產量的近 40%，成為本輪需求的核心驅動力。

市場預測顯示，從 2025 年第四季度到 2026 年上半年，DDR5 內存價格將連續三次上漲，季度漲幅維持在 30% 至 50% 之間。按照這一趨勢，到 2026 年初，16Gb DDR5 內存芯片價格可能接近 30 美元，創下歷史新高。

從 2017 年的製程迭代到 2025 年的 AI 爆發，存儲市場的驅動因素雖有變化，但三大巨頭壟斷下的供需失衡這一核心邏輯從未改變。

對於下游廠商和普通消費者而言，2017 年買內存像買理財的記憶尚未褪色，新一輪漲價潮已悄然來襲，這或許正預示着存儲行業又一個週期性繁榮與陣痛的開始。