格羅方德（GlobalFoundries) 週一(10 日) 宣佈，已與臺積電簽署技術授權協議，取得650V 與80V 氮化鎵(GaN) 製程技術，此舉將協助格羅方德加速推出新一代GaN 電源元件，應用於數據中心、工業及汽車領域，並提供位於美國境內的GaN 產能，服務全球客戶。

隨着硅基CMOS 技術逐漸逼近效能極限，GaN 被視為滿足高效率、高功率密度、小型化需求的關鍵。

格羅方德正佈局完整GaN 產品線，涵蓋650V 與80V 高效能製程，可支持電動車、數據中心、再生能源及快充等應用。

格羅方德表示，其GaN 解決方案針對高壓環境設計，強調從製程、元件到應用整合的全方位可靠性。

格羅方德計劃在旗下位於美國佛蒙特州伯靈頓的晶圓廠導入並認證臺積電GaN 技術，借重當地在高壓GaN-on-Silicon 技術上的經驗，縮短量產時程。開發將於2026 年初展開，並預計當年底投入生產。

格羅方德電力事業資深副總裁Téa Williams 表示，技術授權顯示公司致力於創新與差異化電源技術，GaN 導入將加速相關芯片開發，協助解決數據中心、汽車與工業場域等多項關鍵電力需求。

格羅方德為全球半導體制造企業，產品涵蓋汽車、智能手機、物聯網及通訊基礎設施等市場，於美國、歐洲與亞洲設有生產據點，強調供應安全性、可靠度與永續性。