據報道，美光公司披露，其位於紐約州克萊附近的晶圓廠項目將再次大幅延期，預計要到2033年底才能投產，該集羣原計劃於2025年投產。

然而，儘管美光公司推遲了克萊附近晶圓廠的建設，但該公司正在加快愛達荷州晶圓廠的建設，並將《芯片法案》（CHIPS Act）的資金重新分配給該工廠。

根據美光公司6月份正式發佈的《環境影響報告書》（EIS）草案，首座晶圓廠（Fab 1）的建設階段將於2026年底啓動，並將持續到2028年下半年或2029年初。通常情況下，一座晶圓廠的全面建設需要12到24個月，具體時間取決於多種因素；因此，預計首座晶圓廠將於2030年左右開始DRAM生產，比最初預期晚五年。

同一份環境文件將Fab 2的開工時間定為2028年下半年，Fab 3的開工時間定為2033年下半年，Fab 4的開工時間定為2039年上半年。如此安排下，美光克萊園區將於2045年全面建成並達到滿負荷生產，較原計劃延遲五年。

「美光將於 2025 年第四季度開始為擬建項目進行初步場地準備工作，預計前兩個 DRAM 製造工廠（Fab 1 和 Fab 2）將分別於 2029 年和 2030 年投入運營，其餘工廠（Fab 3 和 Fab 4）預計將於 2035 年和 2041 年投入運營，」美光在 6 月份提交的環境影響報告書中的一份聲明中寫道。

然而，美光在紐約的項目似乎將面臨另一次重大延誤。據雪城大學獲得的最新環境文件（尚未正式公佈）顯示，首座晶圓廠的建設週期將從三年延長至約四年，這意味着1號晶圓廠的竣工時間將從2028年下半年推遲至2030年底。

據報道，美光公司並未具體說明修改時間表的原因，但承認對其與美國商務部簽署的61億美元《芯片法案》孖展協議進行了修訂。據悉，此次修訂將美光在紐約的投產時間延長約兩年，原因是該公司據稱將提前啓動其位於愛達荷州的ID2工廠。愛達荷州的兩座工廠——一座已建成，一座正在規劃中——將先於克萊縣的工廠完工，這表明美光對項目優先級進行了戰略性調整。