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當地時間11月10日消息，晶圓代工大廠格羅方德（GlobalFoundries）今宣佈，它已與臺積電就650V和80V氮化鎵（GaN）技術簽訂了技術許可協議。這一戰略舉措將加速格芯在數據中心、工業和汽車電源應用中的下一代氮化鎵產品，並為全球客戶羣提供美國的氮化鎵產能。

格羅方德表示，隨着傳統硅CMOS技術達到其性能極限，GaN正在成為下一代解決方案，以滿足電力系統對更高效率、功率密度和緊湊性日益增長的需求。格羅方德正在開發全面的氮化鎵產品組合，包括高性能的650V和80V技術，旨在支持電動汽車、數據中心、可再生能源系統和快速充電電子產品。格羅方德的GaN解決方案專為惡劣環境而設計，採用涵蓋工藝開發、器件性能和應用集成的GaN可靠性整體方法。

格羅方德將在其位於佛蒙特州伯靈頓的製造工廠對獲得許可的氮化鎵技術進行認證，利用該工廠在高壓硅基氮化鎵技術方面的專業知識，為尋求下一代功率器件的客戶加速批量生產。開發計劃於 2026 年初進行，生產將於今年晚些時候開始。

格羅方德電源業務高級副總裁Téa Williams表示：「該協議加強了格羅方德對創新的承諾及其對差異化技術的戰略重點，這些技術解決了我們用於生活、工作和連接的基本功率設備。通過加入這種經過驗證的 GaN 技術，我們將加速下一代 GaN 芯片的開發，並提供差異化的解決方案，以解決從數據中心到汽車和工廠車間的關鍵任務應用的關鍵功率差距。」

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臺積電並非突然退出氮化鎵領域，而是早在2025年7月就已宣佈將在未來2年內逐步退出該業務。格羅方德（GlobalFoundries）與臺積電簽署的氮化鎵（GaN）技術授權協議，是臺積電退出戰略的一部分。

格羅方德從臺積電獲得650V和80V氮化鎵技術授權，用於開發下一代氮化鎵產品，重點應用於數據中心、工業和汽車電源領域。格羅方德計劃在2026年初啓動技術開發，同年晚些時候開始生產，產品預計2026年末上市。

氮化鎵市場競爭加劇，尤其是中國大陸廠商的價格戰導致毛利率下滑。避免捲入中國大陸半導體產業的內耗競爭，尤其是電動車領域對氮化鎵的需求波動。臺積電認為氮化鎵業務規模較小，對整體利潤貢獻有限，戰略重心轉向更核心的先進邏輯製程和封裝技術。

通過授權協議，格羅方德填補了美國本土在高性能氮化鎵功率器件製造領域的空白，強化其在電源管理領域的佈局。該合作被視為美國半導體「製造主權迴流」趨勢的一部分，有助於構建本土寬禁帶半導體生態。利用美國佛蒙特州伯靈頓工廠的技術優勢，加速氮化鎵產品的商業化，為全球客戶提供本土化產能。

臺積電退出後，其原客戶（如比亞迪、納微半導體）需尋找替代供應商，納微已轉向力積電，比亞迪面臨技術轉移挑戰。氮化鎵技術正從消費電子快充領域向數據中心、電動汽車等高功率應用拓展，格羅方德的佈局將推動這一進程。

來源：芯智訊 半導體圈子整理