近期，第十一屆國際第三代半導體論壇&第二十二屆中國國際半導體照明論壇召開，會議現場揭曉「2025年度中國第三代半導體技術十大進展」入選結果。「全系列12英寸碳化硅襯底全球首發」、「萬伏級SiC MOSFET器件的研製及其產業化技術」、「基於氮化鎵Micro-LED的高速、低功耗光通信芯片技術」、「8英寸氧化鎵單晶及襯底製備實現重大突破」、「低位錯密度12英寸碳化硅單晶生長及激光剝離技術」、「8英寸...
網頁鏈接近期，第十一屆國際第三代半導體論壇&第二十二屆中國國際半導體照明論壇召開，會議現場揭曉「2025年度中國第三代半導體技術十大進展」入選結果。「全系列12英寸碳化硅襯底全球首發」、「萬伏級SiC MOSFET器件的研製及其產業化技術」、「基於氮化鎵Micro-LED的高速、低功耗光通信芯片技術」、「8英寸氧化鎵單晶及襯底製備實現重大突破」、「低位錯密度12英寸碳化硅單晶生長及激光剝離技術」、「8英寸...
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