截至2025年11月，碳化硅市場正經歷關鍵的價值重估與結構性分化。在價格端，低端大宗原料成本推升價格上漲，而主流6英寸襯底則因產能過剩而持續暴跌。但在應用端，SiC憑藉其卓越散熱性能，極有可能成為NVIDIA Rubin平臺和臺積電先進封裝中AI芯片散熱的戰略性關鍵材料，預示SiC產業將迎來由HPC應用驅動的第二波高價值增長。

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SiC價格趨勢分析：基礎原料上揚與高階襯底價格戰

近期碳化硅（SiC）市場價格呈現出明顯的結構性分化特徵。

一方面，SiC大宗流通價格（如黑碳化硅、綠碳化硅的流通粉末或顆粒）受多重因素推動而走強。根據CIP商品行情網、生意社等價格網站披露，過去一週SiC流通價報每公噸6,271人民幣，實現0.21%的周漲幅。

這波上漲主要由三股力量驅動：原材料成本的堅挺、下游需求應用領域的持續擴大，以及供應端因環保檢查或產能限制所導致的供應整頓。這些因素共同作用，將成本壓力傳導至市場流通環節，推動基礎原料價格上揚。

另一方面，用於功率器件的高階6英寸SiC晶圓襯底市場卻面臨激烈的價格競爭。由於全球主要製造商產能的快速釋放，市場一度出現供過於求的風險，導致SiC襯底價格持續暴跌。

供應鏈消息顯示，襯底價格在2024年年中至Q4期間已跌至500美元/片以下，降幅超過20%。進入2025年後，價格競爭仍在持續，主流報價保持在400美元/片左右或更低，部分產品報價甚至逼近生產商的成本線，市場競爭格局正在加速洗牌。

圖片來源：千庫網

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應用趨勢聚焦：AI高性能計算（HPC）領域的結構性爆發

SiC在高性能計算（HPC）領域的導入確定性，成為截至2025年11月最新的強勁增長驅動力。隨着AI算力芯片（如GPU）的功率飆升，傳統散熱材料難以應對，SiC憑藉其卓越的導熱性能（熱導率高達500W/mK）成為解決方案的核心。

行業最新消息顯示，全球龍頭企業的佈局已透露出最新進展：

NVIDIA平臺導入SiC襯底作為中介層：#英偉達（NVIDIA）傳出將在2025年推出的Rubin平臺中導入SiC技術。計劃與臺積電合作，將現行的CoWoS先進封裝工藝中的硅中介層升級為碳化硅（SiC Interposer），以應對高功耗散熱挑戰。

臺積電推動12英寸SiC載板供應鏈：晶圓代工巨頭#臺積電（TSMC）正積極推動供應鏈配合，研究將12英寸單晶碳化硅應用於散熱載板，以取代現有的陶瓷基板，解決未來HPC芯片極限熱功耗問題。襯底龍頭企業之一天嶽先進也已在2025年Q1推出全系列12英寸SiC襯底，為此應用提供材料基礎。

數據中心架構轉型：受惠於NVIDIA推動數據中心過渡至800V HVDC架構，對SiC功率元件的需求可望大幅躍升，進一步擴大SiC在AI服務器電源供應鏈中的市場份額。

新興光學應用：VR/AR/MR眼鏡：SiC因其折射率高達2.6-2.7（遠高於傳統玻璃），有潛力用於製造AR/MR眼鏡的核心光學元件，幫助設備實現更輕薄、視場角更廣（例如70度以上）的設計，有望成為下一代消費電子光學元件的關鍵材料。

這些舉措標誌着SiC不僅限於電力電子，更將深度參與到HPC的核心散熱體系中，開闢了SiC產業的第二成長曲線。

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結語

截至2025年11月，SiC市場正經歷從產能擴張到應用升級的關鍵轉折。儘管高階襯底市場的價格戰和整合仍在持續，但資本市場已將目光從短期價格波動轉向SiC在AI/HPC領域的長期戰略價值。

預期未來幾年，隨着NVIDIA和TSMC平臺SiC方案的落地，產業將進入需求結構性爆發期，技術領先且具備成本控制優勢的企業將主導市場，並引領SiC產業進入一個更高價值、更廣應用的新紀元。

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