IT之家 11 月 13 日消息，據 ChosunBiz 報道，隨着存儲半導體行業中第六代高帶寬內存（HBM4）的競爭愈發激烈，對下一代 HBM 的需求逐漸顯現，促使三星電子與 SK 海力士加速推進研發進程。從第七代 HBM（即 HBM4E）開始，HBM 市場有望從以「通用型」產品為主（即廠商自主開發並量產、用以確立行業標準的產品），逐步轉向「定製化」產品 —— 即核心組件（如邏輯裸片）可根據客戶需求進行定製化設計與供應。

據業內消息，三星電子與 SK 海力士已設定目標，力爭最早於明年上半年完成 HBM4E 的開發工作。據悉，HBM4E 將搭載於包括英偉達「Rubin」平台旗艦型號 R300 在內的全球大型科技企業的新一代人工智能（AI）加速器中。鑑於搭載 HBM4E 的 AI 加速器計劃於 2027 年正式發布，相關廠商正加速推進研發，以期在明年下半年完成產品品質驗證。

鑑於 HBM4E 有望在兩年內成為 HBM 市場的主流產品，三星電子與 SK 海力士已全面投入市場爭奪戰。興國證券研究員 Son In-jun 表示：「預計明年 HBM 需求按年增速將達 77%，2027 年為 68%；而至 2027 年，HBM4E 將佔 HBM 總需求的 40%。」

據IT之家了解，在 HBM4 市場，SK 海力士憑藉領先地位鞏固了其「單極主導」格局，並已率先行動：其成為存儲半導體廠商中首家與行業龍頭英偉達敲定明年 HBM4 供貨量的公司。據報道，SK 海力士預計將供應英偉達 Rubin 平台初期 HBM4 用量中的相當大比重。儘管英偉達已確認三星電子已進入 HBM4 供應鏈，但業內消息稱，雙方供貨談判仍在進行中。

然而，隨着市場普遍預期定製化 HBM 需求將自 HBM4E 起全面爆發，部分分析認為行業格局或將迎來重塑。目前，三星電子與 SK 海力士均正積極佈局定製化 HBM 市場，其關鍵在於 —— 作為 HBM4E「大腦」的「邏輯裸片（Base Die）」可依據客戶要求進行定製化設計與製造。為及時響應這一趨勢，企業需兼具按客戶需求定製產品設計的能力，以及先進的晶圓代工（Foundry）製程能力。三星電子已全面內化上述能力，並自 HBM4 起即採用自家代工工藝生產邏輯裸片，持續積累實踐經驗。

一位半導體行業人士指出：「目前主流觀點確實認為，憑藉與英偉達的緊密合作關係，SK 海力士有望在 HBM4E 市場延續領先地位；但另一方面，隨着全球大型科技企業紛紛自主研發 AI 加速器，對 HBM4E 定製化產品的需求日益多元化，三星電子憑藉其具備快速響應能力的代工製程技術與產能儲備，同樣具備顯著優勢，市場格局存在重構可能。」

此外，美光（Micron）亦表示正與台積電（TSMC）展開合作，瞄準 HBM4E 市場。與 SK 海力士自 HBM4 起即採用台積電代工工藝製造邏輯裸片不同，美光此前在 HBM4 中採用了其自有的先進 DRAM 工藝。然而，隨着客戶對高性能、定製化產品需求持續提升，對先進代工製程的依賴日益增強，分析認為，美光因此轉向與台積電合作，以強化其技術競爭力。