ICC訊近日，格芯（GlobalFoundries）宣佈已與臺積電（TSMC）就650伏和80伏氮化鎵（GaN）技術達成一項技術許可協議。這一戰略舉措將加速格芯面向數據中心、工業和汽車電源應用的下一代GaN產品開發，並為全球客戶羣提供基於美國的GaN產能。

  隨着傳統硅CMOS技術逼近其性能極限，氮化鎵正逐漸成為滿足電源系統對更高效率、功率密度和更緊湊尺寸需求的下一代解決方案。格芯正在開發全面的GaN產品組合，其中包括旨在支持電動汽車、數據中心、可再生能源系統和快速充電電子產品的高性能650伏和80伏技術。格芯的GaN解決方案專為嚴苛環境而設計，並在工藝開發、器件性能和應用集成等方面採用整體性方法以確保GaN的可靠性。

  格芯將在其位於佛蒙特州伯靈頓的製造工廠對獲授權的GaN技術進行資格認證，利用該工廠在高電壓硅基氮化鎵技術方面的專業知識，為尋求下一代功率器件的客戶加速量產進程。開發工作定於2026年初進行，並於同年晚些時候開始生產。

  「這項協議強化了格芯對創新的承諾，以及其對差異化技術的戰略關注，這些技術關乎我們用於生活、工作和連接的關鍵電源設備，」格芯電源業務高級副總裁Téa Williams表示，「通過引入這項經過驗證的GaN技術，我們將加速下一代GaN芯片的開發，並提供差異化解決方案，以彌補從數據中心到汽車，再到工廠車間等關鍵任務應用中的核心電源技術缺口。」

  關於格芯

  格芯是全球所依賴的 essential 半導體製造商。我們與客戶創新和合作，為汽車、智能移動設備、物聯網、通信基礎設施及其他高增長市場提供更高能效、更高性能的產品。憑藉遍佈美國、歐洲和亞洲的全球製造網絡，格芯是全球客戶值得信賴和依賴的合作伙伴。每一天，我們才華橫溢的全球團隊都以對安全、長效和可持續性的不懈專注來交付成果。