（信息來源：半導體行業觀察綜合）

三星電子在第三季度開始向英偉達公司交付期待已久的HBM3E芯片後，其下一代HBM4芯片明年的產量已全部售罄，這凸顯了全球內存市場在人工智能服務器需求激增的推動下強勁復甦。

這家韓國內存巨頭週四表示，其HBM3E芯片「目前正在量產並已售予所有相關客戶」，證實其第五代高帶寬內存已成功交付給英偉達。

韓國《經濟日報》9月份曾報道，三星已通過英偉達對其12層HBM3E產品的認證測試，這是該公司長期以來夢寐以求的里程碑。

三星還表示，已向主要客戶交付了下一代HBM4芯片的樣品進行質量測試，並暗示其即將推出的第六代產品需求強勁，指出明年HBM芯片的預訂量已超過其計劃產量。

三星存儲業務執行副總裁金在俊在公司第三季度財報電話會議上表示：「與今年相比，我們已大幅提高了明年的HBM產能，但客戶需求仍然超過了供應。隨着訂單持續增長，我們正在考慮進一步擴大產能。」

三星股價在首爾交易時段上漲3.6%，收於104,100韓元（約合72.90美元）。三星在

一份聲明中表示：「展望2026年，存儲業務將專注於量產性能差異化的HBM4產品，同時致力於擴大HBM的銷售規模。」

得益於高性能HBM芯片需求的強勁復甦，三星存儲業務公佈截至9月底的三個月內，季度營收創下26.7萬億韓元的歷史新高。

強勁的銷售增長主要來自HBM芯片、雙倍數據速率5（DDR5）內存、圖形DDR7（GDDR7）內存以及服務器用固態硬盤。

該公司表示，高價值存儲芯片的需求主要由人工智能服務器推動，而人工智能領域的投資週期仍在持續。

這一業績提振了三星半導體業務部門——器件解決方案（DS）的整體利潤。

該部門實現營收33.1萬億韓元，營業利潤7萬億韓元，分別同比增長13%和3%。

三星表示，強勁的需求推高了存儲器價格，同時一次性庫存調整減少，是業績增長的主要驅動因素。

三星預計，人工智能的快速發展將持續推動對其高價值內存和先進邏輯芯片的需求。

這家韓國芯片巨頭表示，將積極響應人工智能和傳統服務器的需求，推出HBM3E、高密度企業級固態硬盤和先進內存產品，同時擴大服務器內存產品（例如128GB DDR5和24GB GDDR7芯片）的銷售。

SK海力士2026年的芯片訂單已經售罄

就韓國 SK 海力士而言，高帶寬存儲器(HBM) 是一種高收入存儲器；2025 年第三季度收入為24.449 萬億韓元（171 億美元），同比增長 39%，淨利潤為 12.598 萬億韓元（88 億美元），同比增長 118.9%。

SK海力士每1美元的收入中，超過一半都是純利潤。其內部營業利潤率首次突破10萬億韓元（約合70億美元），創下公司歷史新高。這得益於HBM3E 12GB及以上高容量顯存和DDR5服務器內存的強勁銷售，季度營收也創下歷史新高。128GB及以上容量的DDR5內存出貨量較上一季度增長超過一倍。

首席財務官金宇鉉表示：「隨着人工智能技術的創新，內存市場已經轉變為一種新的模式，需求也開始擴展到所有產品領域。」

這種情況很可能會持續下去。SK海力士表示，明年的HBM供應談判已經完成。下一代HBM4將於今年第四季度開始出貨，並計劃明年全面擴大銷售規模。事實上，明年所有DRAM和NAND產品的需求都已得到保障。這意味着SK海力士的HBM、標準DRAM和NAND產能實際上已經售罄至2026年。

由於人工智能驅動的數據中心建設熱潮，內存需求異常旺盛，導致內存供應無法滿足需求，進而推高了價格和利潤。其結果之一是，截至第三季度末，公司現金及現金等價物較上一季度增加110.9萬億韓元（約合776億美元），達到127.9萬億韓元（約合895億美元）。與此同時，公司計息債務為124.1萬億韓元（約合869億美元），使其成功實現淨現金頭寸13.8萬億韓元（約合97億美元）。

這些數字異常之高，而且很可能還會繼續攀升。該公司表示：「隨着人工智能市場迅速向推理驅動型工作負載轉型，人們越來越關注將人工智能服務器的計算負載分佈到更廣泛的基礎設施（例如通用服務器）上。預計這一趨勢將進一步擴大對整個內存產品組合的需求，包括高性能DDR5和eSSD。」此外，「全球領先的人工智能廠商近期宣佈的一系列戰略合作和人工智能數據中心擴建計劃，也為這一趨勢提供了進一步的推動力。」

SK海力士計劃提升其存儲器產能，並將增加其最高密度321層TLC和QLC NAND產品的產量。Wedbush分析師Matt Bryson預計，到2026年底，321層產品的產量將佔該公司NAND閃存總產量的50%以上。

這些結果表明，其他內存供應商，例如三星和美光，也應該會取得良好的業績。

美光公司預計，將售罄

存儲器製造商美光科技表示，其明年生產的所有高帶寬內存（HBM）的訂單已接近全部售出。不出所料，該公司還預測其利潤率將有所提高。

在公司2025年第四季度財報電話會議上，首席執行官桑傑·梅赫羅特拉表示，美光目前已有六家客戶訂購其HBM產品，幾乎所有客戶都已同意「就2026年HBM3E供應的絕大部分達成定價協議」。該公司還「正在與客戶積極洽談HBM4的規格和數量，我們預計將在未來幾個月內達成協議，售罄2026年剩餘的HBM供應總量」。

美光公司約佔全球DRAM和HBM產量的三分之一。

Mehrotra 還表示，美光科技在本財年取得了驕人的成績，營收、毛利率和盈利均高於此前的預期。

第四季度營收達113.2億美元，較去年同期增長46%。全年營收增長48%至374億美元。公司雲存儲業務部門（包括HBM和其他高端產品）營收增長213%，達到45億美元。年度淨利潤預計從2024財年的7.78億美元增長至85億美元。

雲存儲部門的毛利率從 49% 躍升至59%。

該公司預計DDR內存的利潤率也會上升。

首席商務官蘇米特·薩達納表示，美光觀察到「客戶方面存在嚴重的短缺」。

「當然，隨着這種短缺狀況的持續，利潤率也大幅提高了，」他補充道。

美光預測 2026 年第一季度營收將達到 125 億美元，上下浮動 3 億美元。

該公司還表示，其在2025財年的資本支出為180億美元，並預計明年也將支出相同數額，遠高於2024財年的130億美元。「其中絕大部分用於DRAM、建設和設備，」首席財務官馬克·墨菲表示，他還表示，美光認為DRAM市場有很大的增長空間。

如此巨大的資本支出引人注目，因為它表明，並非只有超大規模數據中心運營商纔會斥巨資建設數據中心，以抓住人工智能浪潮的機遇。美光不斷擴大的利潤率也表明，超大規模數據中心運營商願意為人工智能應用所需的內存支付溢價……這意味着，如果您採用雲端人工智能基礎設施，您的賬單也會隨之增加。

美光的部分資本支出將用於在美國建設製造工廠，這是一項重要的舉措，因為該公司目前的大部分產品都在海外生產。薩達納表示，公司的預測尚未考慮美國新關稅政策的影響。「我們將在政策公佈後做出應對，」他說。