Tower半導體推出全新CPO晶圓代工技術

據Tower Semiconductor官方獲悉，近日，Tower宣佈將其成熟且已投入量產的300mm晶圓鍵合技術平臺進行戰略性擴展。該技術最初為BIS傳感器開發，現成功應用於公司先進的硅光子和鍺硅BiCMOS工藝平臺，實現異質三維集成電路集成，並獲得Cadence設計工具對全系列堆疊平臺技術的全面支持。

據悉，Tower憑藉多年在200mm與300mm晶圓上的高產量堆疊傳感器製造經驗，其晶圓鍵合技術現可實現不同晶圓（如硅光子芯片與鍺硅電子集成電路）的堆疊，從而構建完整的晶圓級三維集成電路。該技術將不同工藝平臺的特定功能集成至單一高密度芯片，以更小的尺寸實現更強的功能與性能。此項晶圓級三維集成電路技術支持CPO等新興應用領域，通過融合光子集成電路與電子集成電路，實現緊湊高效的高性能集成。

Tower已成功驗證其晶圓鍵合工藝的精確對準能力與可靠性。在工藝技術之外，其與Cadence設計系統合作擴展了Virtuoso Studio異構集成設計流程，該工具可在統一設計環境中實現多工藝技術的協同仿真與驗證。這套與Tower鍺硅BiCMOS及硅光子工藝設計工具包兼容的新型三維集成電路設計流程，已獲得雙方公司的全面支持，將大幅提升複雜多技術芯片項目的一次流片成功率。