臺積電前研發副總裁林本堅近日在接受媒體專訪時提出一個引人關注的觀點：中國大陸或許無需依賴EUV光刻機，僅憑現有的浸潤式DUV光刻機技術，就有可能突破5納米芯片製造工藝。這位被譽為「浸潤式光刻機之父」的專家指出，浸潤式DUV光刻機本身具備這樣的技術潛力，其原理在於通過多重曝光等工藝優化手段，能夠突破傳統技術節點的限制。

追溯浸潤式光刻機的發展歷程，林本堅在臺積電任職期間主導了這項技術的研發。當時日本光刻機巨頭佳能、尼康等企業專注於乾式光刻機技術，對浸潤式方案興趣寥寥。而處於行業邊緣的荷蘭企業ASML卻敏銳捕捉到機遇，與臺積電展開深度合作。雙方聯合研發的浸潤式光刻機不僅幫助ASML在2008年前後超越日本對手，更奠定了其在光刻機領域的長期領導地位。後續ASML獲得美國EUV技術支持後，進一步鞏固了行業龍頭位置，但這段合作歷史始終被視為光刻機技術演進的關鍵轉折點。

作為技術提出者，林本堅對浸潤式光刻機的性能邊界有着深刻認知。臺積電曾使用該技術通過多重曝光工藝實現7納米芯片量產，儘管這種方案導致成本顯著增加。後續轉向EUV光刻機後，第二代7納米工藝在性能和功耗方面獲得明顯提升，並延續至5納米、3納米等更先進製程。值得注意的是，當前三星已採用第二代EUV光刻機生產2納米芯片，而臺積電仍使用第一代設備，這種差異既體現技術路線選擇，也反映出成本控制考量——第二代EUV設備價格較前代高出兩倍。

林本堅的論斷為中國芯片產業注入新動力。據行業消息，國內企業正利用浸潤式DUV光刻機攻克接近臺積電7納米水平的芯片製造技術，若成功將成為繼臺積電、三星、英特爾之後第四家掌握該工藝的廠商。更值得關注的是，在7納米突破後，5納米研發已提上日程。儘管成本壓力巨大，但掌握先進製程對中國芯片產業具有戰略意義，既能為自主研發光刻機爭取時間，也能推動整體技術生態升級。

中國芯片產業的突破不僅體現在光刻環節。在刻蝕機等關鍵設備領域，國內已實現3納米技術突破，這類設備的精度僅次於光刻機。先進刻蝕機與浸潤式DUV光刻機的協同研發，有望降低5納米工藝的開發難度。這種技術組合策略已在7納米階段顯現成效——基於類似工藝水平的國產芯片，已在手機處理器、人工智能芯片等領域取得重要進展。例如，當美國放寬對華AI芯片出口限制後，國內企業選擇放棄採購英偉達定製版H20芯片，轉而使用自主研發的替代產品，這從側面印證了國產芯片的性能競爭力。