野村證券在5日發布的報告中指出，全球存儲市場正迎來前所未有的「三重超級周期」（Triple Super-Cycle），DRAM、NAND和HBM（高帶寬內存）的需求將在2026年同時爆發。

據追風交易台消息，野村證券預測，受人工智能基礎設施建設及傳統服務器投資回暖的驅動，全球存儲市場規模有望在2026年按年增長98%至4450億美元，並在2027年進一步擴大至5900億美元。

報告強調，這一輪超級周期將持續至2027年，主要動力來自強勁的需求增長與有限的供應擴張之間的供需錯配。野村預計，2026年DRAM和NAND的需求將分別增長30%，而HBM的需求增幅將高達63%。在供應受限的背景下，產品價格將大幅上漲，預計DRAM和NAND的平均售價（ASP）將分別躍升46%和65%，推動存儲芯片製造商的營業利潤率重回歷史高位。

野村指出，除了AI服務器的強勁需求外，通用服務器市場的復甦也是關鍵驅動力。隨着大型科技公司恢復傳統雲服務器投資，預計2026年通用服務器相關內存（如DDR4和DDR5）需求將增長約50%。同時，AI推理工作負載的增加推動了數據中心對高性能存儲的需求，企業級固態硬盤（eSSD）需求預計將在明年翻倍，這將導致NAND庫存迅速下降並推高價格。

AI與通用服務器共振，驅動HBM與DRAM需求

野村認為，本次超級周期的核心在於AI服務器與通用服務器需求的雙重共振。在AI領域，隨着英偉達推出Rubin GPU平台，HBM4的需求將在2026年開始爬坡。野村預計，SK海力士將在2026年第一季度開始出貨HBM4，而三星和美光科技則緊隨其後在第二季度跟進。此外，隨着ASIC（專用集成電路）供應商的積極擴產，HBM廠商對英偉達的單一依賴度將從2026年起降低，從而緩解潛在的產能過剩風險。

在通用服務器領域，經歷了2023年的投資下滑和2024年的溫和復甦後，野村預計大型科技公司在2026年的投資將增長20%至30%。這將直接帶動傳統DRAM產品的需求，使其供應日趨緊張。

野村預測，受強勁需求和產能優先分配給HBM的影響，商品DRAM的短缺將持續，並在2026年至2027年將其營業利潤率推高至約70%的水平。

數據中心存儲轉型，引爆NAND與eSSD市場

在NAND領域，eSSD正在成為主要的增長引擎，預計將佔到2026年NAND總需求的約40%。野村分析稱，隨着AI工作負載從訓練轉向推理，市場對能夠提供實時響應的高性能存儲需求激增，甚至導致HDD（機械硬盤）供應短缺，進而加速了需求向SSD的轉移。

報告指出，QLC技術的採用提高了SSD的成本效益和總擁有成本（TCO）優勢。野村預計，受傳統數據中心和AI數據中心的雙重存儲需求驅動，加上HDD供應不足，2026年eSSD需求將增長超過100%。這也將推動NAND行業的營業利潤率從目前的盈虧平衡或微利狀態大幅改善，預計在2026年達到30%至40%的繁榮水平。

供應瓶頸持續，產能擴張受限於潔淨室短缺

儘管需求端極其強勁，但供應端的反應卻受到物理條件的限制。野村強調，由於潔淨室（cleanroom）的可用性不足，全球存儲行業的供應擴張在2027年中期之前將非常有限。這一供應瓶頸已經反映在現貨市場上，自今年10月以來，DRAM現貨價格已飆升200%至300%，NAND晶圓現貨價格也上漲了140%。

野村解釋稱，即便廠商決定擴產，從設備安裝到芯片產出通常需要較長時間。而在當前的技術遷移期（如向1C納米制程過渡），晶圓產能實際上會減少10%至15%，且初期良率較低，導致實際位元產出增長受限。此外，HBM4的生產需要更多晶圓消耗，進一步擠佔了商品DRAM的產能。因此，直到2027年之前，市場無需擔憂大宗存儲芯片會出現供應過剩。

下游成本壓力加劇，消費電子需求或受抑制

雖然上游存儲廠商將迎來盛宴，但對於下游的PC和智能手機製造商而言，2026年將是充滿挑戰的一年。野村警告稱，存儲芯片價格的飆升將顯著推高PC和智能手機的BOM成本，進而壓縮廠商利潤或迫使其提價。

報告預測，受成本上漲及換機需求提前釋放的影響，2026年全球PC出貨量可能按年下降2.8%，智能手機出貨量或按年下降1.7%。特別是對於中低端智能手機，由於存儲成本在BOM中佔比較高（超過15%），其受到的衝擊將遠大於旗艦機型。相比之下，蘋果憑藉高利潤率、強大的議價能力和長期供應協議，受存儲價格上漲的影響相對較小，其供應鏈在2026年上半年仍有望保持適度增長。