電子發燒友網綜合報道 最近，英特爾EMIB封裝火了，在蘋果、高通、博通的招聘信息中，都指出正在招募熟悉EMIB封裝的工程師。近期還有消息稱，由於臺積電CoWoS 先進封裝產能持續緊張，Marvell和聯發科也正在考慮將英特爾EMIB封裝應用到ASIC芯片中。

EMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge，嵌入式多芯片互連橋）是英特爾主導推廣的一種2.5D 先進封裝技術，通過在有機封裝基板中嵌入小型硅橋實現多個芯片 (芯粒) 之間的高速互連，是業界首個採用嵌入式橋接的 2.5D 解決方案。2017年英特爾首次在Kaby Lake-G處理器中引入EMIB技術，實現CPU與AMDGPU之間的高速互連。

EMIB 的核心在於局部化高密度互連設計，與臺積電 CoWoS 把整個封裝區域鋪在一張大尺寸硅中介層上不同，EMIB不使用覆蓋整個封裝的大型硅中介層，而是採用尺寸很小的硅橋嵌入基板；硅橋上構建高密度再佈線層(RDL)，可提供 800-1000 I/O/mm² 的佈線密度，實現芯片間的高速數據傳輸；芯片通過雙凸點間距設計與硅橋連接：C4 凸點 (大間距，約 100μm) 用於基板連接，C2 凸點 (小間距，45-55μm) 用於硅橋高速互連，在保障 TB 級帶寬的同時，將封裝成本降低 30-40%。。

這種設計帶來三大核心優勢。硅材料利用率達 90%（遠超傳統中介層的 60%）、熱膨脹係數不匹配問題緩解（硅佔比低）、支持多芯片靈活組合。其製造流程簡化為硅橋製備、基板開槽嵌入、芯片鍵合三步，避免了複雜 TSV（硅通孔）工藝，良率與標準 FCBGA 封裝相當。

目前，EMIB 系列技術的迭代遵循基礎互連→性能增強→功能擴展→維度升級的路徑：

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EMIB 標準版：2.5D 封裝的基礎形態，以低成本局部互連為核心定位​

EMIB-M：在標準版基礎上強化電源完整性，在硅橋中集成MIM (金屬 - 絕緣體 - 金屬)電容，增強電源完整性，適合高功率AI應用

EMIB-T：引入 TSV 通孔技術，進一步提升互連密度，突破內存集成與功率傳輸瓶頸​

EMIB 3.5D：融合 3D 堆疊技術，實現垂直堆疊和水平橋接的混合集成架構，總互連帶寬較 EMIB-T提升200%。

從成本來看，CoWoS以全覆蓋硅中介層為核心，通過大面積硅基材料實現極致互連密度，但硅中介層佔 BOM 成本 50-70%。CoWoS-L雖採用混合中介設計，成本仍比 EMIB-T 高 60% 以上。​

而EMIB以局部硅橋為核心，硅材料用量僅為CoWoS 的 1/3-1/5，封裝成本整體低35-50%。EMIB-T引入 TSV 後，在性能逼近 CoWoS-L 的同時，成本仍保持 30% 以上優勢。

EMIB 是英特爾創新的2.5D 封裝技術，通過新的封裝思路，在成本、性能和靈活性間取得平衡。尤其在 AI 芯片需求爆發、臺積電 CoWoS 產能緊張的背景下，EMIB 正成為芯片設計公司的重要選擇，推動先進封裝市場從一家獨大向多元競爭格局轉變。隨着 AI 芯片面積增大、HBM 顆數增多、先進封裝產能緊缺，EMIB 正被越來越多雲廠商和芯片公司視為高性價比替代路線，並將在 2026–2028 年迎來更大規模的上量。