雖然大多數人對於存儲未來的行情持續看好，存儲芯片的漲價邏輯也很硬核，那就是AI產業的未來前景非常可觀，帶來的必定是存儲需求的暴增。

存儲市場太熱了，漲價幅度大超預期。目前的存儲市場漲價到底有多瘋狂呢？據某網絡平臺價格數據顯示，英睿達經典款16GB DDR5臺式機內存條今年9月售價為329元，目前已經漲到999元。同規格的三星內存條也從500多元漲至近1300元。如此瘋狂的漲價行為，當真是多年難得一見。在現在清冷的消費電子市場上，存儲當真是一枝獨秀！

對於存儲代理分銷商而言，存儲芯片四季度是不是大概率漲價是大家關心的熱門話題。近日，千億市值存儲龍頭江波龍表示，結合第三方機構公佈的信息來看，AI應用將持續推升CSP對高效能TLC eSSD、QLCe SSD的需求，且HDD供應依然短缺，預計將支撐第四季整體NAND Flash價格持續上漲，這對於存儲產業而言是非常利好的消息。

受過往週期影響，主要原廠維持審慎的產能擴張策略，若後續資本開支回升，受制於產能建設週期的滯後性，對2026年位元產出的增量貢獻也將較為有限。

對於終端市場而言，存儲芯片漲價影響巨大。「還沒有買手機的朋友要儘快買，明年價格大概率上漲。」集邦諮詢資深研究副總經理吳雅婷預測。存儲供給瓶頸已經開始影響行業前景。IDC與Gartner均下調了2026年PC出貨預測。上述採購經理警告稱，如果存儲短缺持續，實際產量可能低於預期，某些機型甚至可能面臨減產或短暫停產的風險。

從三星對自己的親兄弟公司態度，可以側面老闆存儲芯片的漲價熱度。近日，三星電子半導體（DS）部門拒絕移動體驗（MX）事業部的存儲芯片一年以上長期供應合約請求，要求按季度籤3個月合約，即使MX事業部高層親自協商，但只達成第四季度DRAM協議。據悉，芯片價格上漲將使其佔Galaxy S26成本比例至少增加5%。DS部門正調整生產線，重點生產AI芯片使用的高帶寬記憶體（HBM）和移動低功耗DRAM（LPDDR）等高利潤產品來將收益最大化。

對於存儲上漲時間，吳雅婷表示，預計本輪存儲芯片價格持續上漲的週期比上一輪八個季度的週期更長，整體智能手機價格也會往上調。

大家比較認可的觀點是，本輪存儲芯片漲價，歸因是人工智能浪潮帶來的AI服務器旺盛需求，推動原廠將更多產能轉向AI系統所需的高端產品，包括HBM、DDR5，導致普通型存儲芯片LPDDR4產品供應不足。

今年行情是好，那對於存儲產品明年的行情呢？吳雅婷表示，隨着原廠的逐步停產，到2026年，LPDDR4在總的LPDDR供應中佔比降至26%，LPDDR5的供應占比將快速提升至73%。由於手機需求疊加AI需求，LPDDR5的供給也會持續緊張，預計明年都會面臨供應緊缺和漲價問題，進一步促進智能終端的成本壓力上升。

如今，存儲的確是巨大的市場需求拉動了價格快速上漲。全球科技巨頭正斥資數千億美元打造AI數據中心，這些數據中心需要英偉達等供應商的圖形處理器（GPU），而GPU又依賴衆多不同的零部件。AMD、谷歌和微軟等公司的巨大需求導致供應鏈多個環節不堪重負。路透社3日報道稱，供應緊張幾乎波及所有類型的內存，從U盤和智能手機中使用的NAND閃存芯片（手機需要兩種芯片：動態隨機存取存儲器DRAM負責臨時運算存儲，NAND負責永久數據存儲——編者注），到為數據中心AI芯片提供動力的先進高帶寬內存（HBM）。

根據全球科技產業分析機構羣智諮詢半導體分析師的說法，在這一輪方興未艾的AI熱潮中，因為利潤更為豐厚，且採購規模更大，上游存儲廠商將產能倒向AI算力帶來的需求。美國貝恩諮詢公司科技業務合夥人彼得·漢伯裏也對CNBC表示，存儲短缺的直接原因是AI數據中心需求的快速增長，以及上游存儲廠商出於風險考慮未能按市場預期擴建產能，而產能的擴張通常需要2到3年的週期。

供需失衡導致存儲價格大幅上漲。CNBC引用市場研究機構Counterpoint Research的數據預計，今年第四季度存儲價格還將上漲30%，2026年初再漲 20%。華爾街投資機構伯恩斯坦在最新研報中表示，AI需求強勁推動下的存儲芯片漲價週期已經到來，2025年四季度移動DRAM合約價環比上漲30%—40%，NAND價格環比也出現了接近兩位數的漲幅，漲勢或持續至2026年上半年。Counterpoint Research研究總監Hwang表示，這是一個全球性問題。

「短短一個多月的時間，存儲行業迎來的漲價浪潮，是我從業十幾年來第一次遇到，11月初的時候，閃迪再次宣佈漲價50%，緊接着三星跟進部分產品，漲價超過60%，這麼短的時間這麼大的漲幅，是讓我很震驚的。」時創意董事長倪黃忠說道。

倪黃忠認為，過去存儲漲價，基本都是手機容量倍增或原廠出現停電等異常情況導致減產漲價，但本輪漲價完全超出預期，主要在於AI的規模化應用帶來的結構性缺貨，本質上是存儲從AI的成本配件向戰略物資的角色轉型，當以存代算成了降本增效的核心路徑，徹底重構了整個存儲市場的邏輯。

作為人工智能產品的必需品，存儲芯片增長速度驚人。數據顯示，2025年以來，AI持續猛漲的需求，對內存帶寬和容量提出極高要求，一臺AI服務器對DRAM的需求是普通服務器的8 倍，對NAND的需求高達3 倍，增加了對HBM和DDR5等高性能、高密度存儲產品的需求，從而帶動存儲原廠的結構性產能轉移。

作為存儲芯片炒貨的聚集地，全球半導體產品交易的中心華強北，其產品交易活躍度直接反映當下大家對某個產品的熱度。近日，半導體芯情記者沉浸式走訪了華強北賽格廣場和元器件交易中心以及電腦交易市場、華強電子世界一期二期等重要的元器件交易中心，首先，記者最大的感受是半導體行情出現強烈的分化，半導體是「冰火兩重天」行情，熱度可分為火和冰，存儲是火，此外全是其它（冰）！以前比較火熱的分立器件產品櫃檯，要麼是客戶寥寥無幾，要麼直接關閉了櫃檯，很多櫃檯倒閉，市場總體冰涼。而存儲器櫃檯，基本都能有五六個顧客問價格，產品也擺得多種多樣，熱度和網上描述的幾乎一致，價格也是漲到離譜，以前最不溫不火的U盤價格居然報價三位數。

在華強北的電腦市場上，記者發現了一個很有意思的現象，那就是很多老外開始詢問終端和存儲價格，它們看上去很多像是東南亞的客戶，對存儲相關產品非常感興趣，手機和電腦旗艦店最近也是接待了很多老外客戶。

大廠瘋狂擴產滿足市場需求，大家對未來的信心倍增

現貨市場的火爆，讓原廠和存儲產業鏈人士信心爆棚，大家紛紛擴產滿足市場需求。有半導體資深人士表示，存儲價格上升反映出存儲芯片市場仍有較大的需求量，從中長期來看，這可能拉動存儲芯片製造廠持續擴大產能。

就在幾日前，存儲芯片原廠SK海力士表示，海力士啓動大規模產能擴張，以「雙線並進」為核心戰略：在鞏固高附加值HBM市場絕對領先優勢的同時，積極擴充包括1c DRAM在內的通用型DRAM產能，形成「高端突破+通用補位」的戰略佈局。

作為第六代10納米DRAM（1c DRAM）的核心玩家，SK海力士計劃大幅提升該尖端通用DRAM產能。據韓國經濟日報報道，其1c DRAM月產能將從當前約2萬片300mm晶圓，於2026年提升至16-19萬片，增幅達8-9倍，屆時該產能將佔其DRAM總產能的三分之一以上。

韓國利川工廠是此次擴產的核心引擎，通過現有產線工藝升級，該工廠1c DRAM月產量將先實現從2萬片到14萬片的增幅，部分業內人士透露實際產能或向17萬片衝刺。擴產的1c DRAM將重點用於生產GDDR7圖形內存模組和低功耗SOCAMM2內存模塊，直接對接英偉達、AMD等企業的需求。

近日，半導體巨擘三星電子(SamsungElectronics)看好智能型手機和平板計算機市場持續的成長動能，大手筆砸下36億美元在美國德州奧斯丁的晶圓廠擴產，分析師認為，該公司不無向晶圓代工大廠臺積電和全球晶圓下戰帖的意味。

位於德州奧斯丁的晶圓廠，是三星在美國唯一的晶圓廠，分析師認為，該公司擴產是打算生產用於蘋果iPhone和iPad裏的邏輯芯片。據悉，三星該座晶圓廠等到6月擴產完工後，廠區佔地230萬平方英尺，可說是北美地區最大型的工廠之一。

分析師表示，三星擴產之後，將可望掌握更多的廠房空間為其它半導體業者代工，這無疑是向全球晶圓和臺積電等晶圓代工業者下戰書。截至目前為止，身為全球存儲器龍頭的三星，還未能在晶圓代工領域拿下足夠的訂單。

報導引述三星半導體部門位於美國的發言人CatherineMorse表示，三星在任何一個領域裏，都不想屈居第2名。不過，她還是沒有正面回應三星美國奧斯丁晶圓廠擴產的目標為何。

至於三星半導體美國副總裁BurtonNicoson則表示，三星選擇奧斯丁這裏擴產的原因在於這裏擁有完善的基礎設施和支持系統，這是其它地方所沒有的優勢。此外，德州大學每年培育出大量優秀的工程師，也是三星半導體所亟需的。

對於產能，另外一個存儲巨頭也不甘示弱。半導體芯情瞭解到，美光科技計劃投資1.5萬億日元(約合96億美元)在日本西部廣島建造一座新工廠，用於生產先進的高帶寬內存芯片。

據悉，這家美國芯片製造商的目標是在明年5月於現有廠址開始建設，並計劃在2028年左右開始出貨。日本經濟產業省將為該項目提供高達5000億日元的補貼。

日本政府將人工智能視為解決國家安全、經濟停滯以及少子老齡化等社會問題的關鍵技術動能，並積極通過資金投入、政策支持和國際合作，努力扭轉其在生成式AI使用率和前沿算法研發上的相對滯後局面。

為振興其日漸老化的半導體產業，日本政府正提供豐厚補貼，以吸引美光和臺積電(TSM.US)等外國芯片製造商的投資。日本政府還在資助一家工廠的建設，該工廠將利用IBM的技術大規模生產先進的邏輯芯片。

存儲芯片的產能方面，2025年LPDDR4(X)在總的LPDDR供應當中的佔比為39%，隨着三大原廠的逐步停產，預計2026年佔比將會降低至26%。相比之下，LPDDR5(X)的供應占比將從2025年的60%快速提升到2026年的73%。

吳雅婷表示，明年LPDDR5在LPDDR的產出中將超過70%，但由於手機的需求會跟AI的需求互相競爭，LPDDR5的供給也將緊張，再加上LPDDR4的供給減少，預計2026年智能手機的成本壓力會上升許多。據統計，LPDRAM價格在2025年下半年整體上漲超50%，一些智能手機品牌已經調漲零售價格作為回應，這將衝擊智能手機和筆記本電腦的升級意願和換機計劃，預計將導致2026年出貨增速將分別同比下滑至-2%和-3%。

對於2026年存儲芯片的需求和價格走勢，集邦諮詢資深研究副總經理郭祚榮表示，今年下半年各大雲服務商加碼AI基礎設施投入，臺積電正不斷滿足AI方面的需求，使得內存、閃存產能喫緊，價格節節高漲，到2026年，智能手機和筆記本電腦的出貨將是負增長情況，這和AI服務器的高增長幾乎是兩個完全不同的世界。

雖然目前很多消費終端市場復甦緩慢，並且長江存儲和長鑫產能提升迅猛，長鑫DDR5也很多不錯，產能也可以，但是目前我們產能對比三大廠，還有很大差距，我們的市場份額加起來不到兩成，對幾大巨頭的衝擊很有限，對價格影響有限。

總而言之，替代供應在短期內幫助有限。中國廠商長鑫存儲的DDR5產能仍處於爬坡階段，還無法供給足夠的規模。有供應鏈人士表示，在需求如此旺盛的情況下，整個行業很可能在2028年之前都無法恢復舊款庫存的折扣週期。

隨着AI相關存儲需求持續攀升，HBM與傳統PC DRAM之間的產能傾斜失衡預計將延續至明年。如果主要供應商不擴充主流存儲的產能，或新進入者無法更快地擴大生產規模，PC製造商將繼續面臨短缺與高企的組件成本，使2026年的產品週期成為近年來成本最昂貴的一年之一。存儲芯片的短缺和漲價會持續很久，這波存儲週期可能足夠長，也會非常熱鬧。AI走多遠，我們這個存儲漲價時間或許就有多長。