進入12月，全球碳化硅（SiC）功率器件領域迎來密集技術落地，頭部企業紛紛加碼高壓、高可靠性產品佈局。納微半導體與威世（Vishay）相繼發佈重磅SiC新品，分別聚焦超高壓場景突破與中功率市場適配。1、納微半導體發佈3300V/2300V超高壓SiC全系產品組合

12月1日，納微半導體宣佈，其全新3300V與 2300V超高壓（UHV）SiC產品已正式開始向市場提供樣品，覆蓋功率模塊、分立器件及裸片（KGD）等多種形態。該系列產品在超高壓功率電子器件領域樹立了全新的可靠性與性能標杆。

納微全新3300V和2300V SiC器件基於其第四代GeneSiC™平臺研發，採用TAP（溝槽輔助平面柵技術）架構，通過多級電場管理設計顯著降低電壓應力、提升耐壓能力，相較傳統trench或平面型SiC MOSFET展現更優的電壓特性和可靠性。

此外，納微進一步擴展3300V/2300V UHV SiC產品組合，提供靈活多樣的封裝格式，以滿足客戶端不同應用的需求。針對高功率密度與高可靠性系統，推出了先進的SiCPAK™ G+功率模塊，支持半橋與全橋拓撲。

據悉，SiCPAK™ G+模塊採用獨特的環氧樹脂灌封技術，相比業內常見的硅膠灌封方案，可實現 >60%的功率循環壽命提升，以及>10倍的熱衝擊可靠性改進。

資料顯示，納微半導體成立於2014年，是全球下一代功率半導體領域的領軍企業，核心技術聚焦氮化鎵（GaN）與碳化硅（SiC）寬禁帶材料，產品覆蓋消費電子、AI數據中心、新能源汽車等領域，氮化鎵芯片發貨超1.25億顆。2、威世推出1200V SiC MOSFET功率模塊

12月4日，威世（Vishay ）正式推出兩款1200V SiC MOSFET功率模塊——VS-MPY038P120與VS-MPX075P120，兩款產品均基於威世新一代碳化硅技術打造，針對中高頻、高功率密度的功率轉換場景進行深度優化，為能源、汽車、工業等領域提供高效可靠的解決方案。

圖片來源：Vishay威世科技

其中，VS-MPY038P120採用全橋逆變器拓撲，導通電阻低至38mΩ，在+80℃工況下可支持35A連續漏極電流；VS-MPX075P120 則採用三相逆變器拓撲，導通電阻為75mΩ，+80℃下連續漏極電流可達18A，兩款模塊均具備 1200V耐壓值與175℃最高工作結溫，能適配複雜工況下的長期穩定運行。

目前，這兩款1200V SiC MOSFET功率模塊已正式進入量產階段，客戶可申請樣品測試，批量供貨週期約為13周，能夠快速響應行業對高性能碳化硅功率器件的批量需求。

資料顯示，威世是全球電子元器件領域的領軍企業，成立於1962年，專注無源與半導體器件研發製造。產品線覆蓋電阻、電容、電感等無源元件，以及二極管、傳感器等半導體與光電子產品，廣泛應用於汽車、工業、消費電子、航空航天等領域。

（集邦化合物半導體 Niko 整理）

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