在啱啱結束的IEDM 2025大會上，台積電首次公開展示了基於互補場效應晶體管（CFET）架構的集成電路運行成果，這標誌着半導體行業向1納米以下工藝節點邁出了實質性一步。台積電成功研發出全球首款全功能101級3D單片CFET環形振盪器，同時實現了全球最小的6T SRAM位單元，該技術預計將在2030年代投入實際應用。CFET通過垂直堆疊n溝道和p溝道晶體管，理論上可比當前最先進的納米片FET技術...
網頁鏈接在啱啱結束的IEDM 2025大會上，台積電首次公開展示了基於互補場效應晶體管（CFET）架構的集成電路運行成果，這標誌着半導體行業向1納米以下工藝節點邁出了實質性一步。台積電成功研發出全球首款全功能101級3D單片CFET環形振盪器，同時實現了全球最小的6T SRAM位單元，該技術預計將在2030年代投入實際應用。CFET通過垂直堆疊n溝道和p溝道晶體管，理論上可比當前最先進的納米片FET技術...
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