近日，安森美（onsemi）與英諾賽科（Innoscience）簽署諒解備忘錄（MoU），雙方將探索基於英諾賽科成熟的200毫米硅基氮化鎵（GaN）工藝，擴大氮化鎵功率器件的生產規模。此次合作將整合安森美的系統集成、驅動技術及封裝專長，與英諾賽科在氮化鎵晶圓製造及高產能生產領域的領先優勢，旨在更快地向市場推出高性價比、高能效的解決方案，加速氮化鎵技術的規模化應用。作為第三代半導體材料，氮化鎵...
網頁鏈接近日，安森美（onsemi）與英諾賽科（Innoscience）簽署諒解備忘錄（MoU），雙方將探索基於英諾賽科成熟的200毫米硅基氮化鎵（GaN）工藝，擴大氮化鎵功率器件的生產規模。此次合作將整合安森美的系統集成、驅動技術及封裝專長，與英諾賽科在氮化鎵晶圓製造及高產能生產領域的領先優勢，旨在更快地向市場推出高性價比、高能效的解決方案，加速氮化鎵技術的規模化應用。作為第三代半導體材料，氮化鎵...
網頁鏈接免責聲明：投資有風險，本文並非投資建議，以上內容不應被視為任何金融產品的購買或出售要約、建議或邀請，作者或其他用戶的任何相關討論、評論或帖子也不應被視為此類內容。本文僅供一般參考，不考慮您的個人投資目標、財務狀況或需求。TTM對信息的準確性和完整性不承擔任何責任或保證，投資者應自行研究並在投資前尋求專業建議。