在全球存儲芯片市場競爭白熱化的背景下,SK海力士近日拋出重磅技術規劃:將在第十代(V10)NAND閃存產品中首次引入混合鍵合技術,以300+層堆疊架構打破行業技術路線預期,並鎖定2027年初實現大規模量產。這一舉措不僅標誌着NAND閃存技術向更高密度、更高效率邁出關鍵一步,更意味着全球存儲行業的技術競爭格局將迎來深度重構。技術迭代之路:從321層V9到混合鍵合V10的進階作為全球第二大NAND閃存...
網頁鏈接在全球存儲芯片市場競爭白熱化的背景下,SK海力士近日拋出重磅技術規劃:將在第十代(V10)NAND閃存產品中首次引入混合鍵合技術,以300+層堆疊架構打破行業技術路線預期,並鎖定2027年初實現大規模量產。這一舉措不僅標誌着NAND閃存技術向更高密度、更高效率邁出關鍵一步,更意味着全球存儲行業的技術競爭格局將迎來深度重構。技術迭代之路:從321層V9到混合鍵合V10的進階作為全球第二大NAND閃存...
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