隨着晶體管持續微縮，先進芯片在性能不斷提升的同時，也面臨着供電穩定性日益嚴峻的挑戰。尤其是在AI和科學計算場景下，芯片功耗不斷攀升，電源完整性已成為制約系統性能和可靠性的關鍵瓶頸。在2025年IEEE國際電子器件大會（IEDM2025）上，英特爾代工研究團隊公佈了在片上去耦電容材料領域取得的最新進展，展示了多項有望應用於下一代先進工藝的關鍵技術成果。本次大會上，英特爾代工重點展示了三種面向深溝槽...
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