金吾財訊 | 安森美半導體(ON)宣佈與格芯(GFS)簽署合作協議，將採用格芯先進的200毫米eMode氮化鎵硅基工藝開發並製造先進氮化鎵(GaN)功率產品，首款產品為650V器件。此次合作將加速安森美半導體高性能GaN器件及集成功率級產品路線圖的推進，通過擴展高壓產品組合滿足人工智能數據中心、電動汽車、可再生能源、工業系統以及航空航天、國防和安全領域日益增長的功率需求。
金吾財訊 | 安森美半導體(ON)宣佈與格芯(GFS)簽署合作協議，將採用格芯先進的200毫米eMode氮化鎵硅基工藝開發並製造先進氮化鎵(GaN)功率產品，首款產品為650V器件。此次合作將加速安森美半導體高性能GaN器件及集成功率級產品路線圖的推進，通過擴展高壓產品組合滿足人工智能數據中心、電動汽車、可再生能源、工業系統以及航空航天、國防和安全領域日益增長的功率需求。
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