根據IEDM 官方此前的預告，台積電在本屆大會宣佈兩項了重要里程碑：首款全功能 101 級 3D 單片互補場效應晶體管 (CFET) 環形振盪器 (RO)以及全球最小的 6T SRAM 位單元，該位單元同時提供高密度和高電流設計。據介紹，基於先前基於納米片的單片 CFET 工藝架構，台積電研究人員引入了新的集成特性，進一步將柵極間距縮小至 48nm 以下，並在相鄰 FET 之間採用納米片切割隔離 ...
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