晶盛機電近日在碳化硅（SiC）核心裝備領域取得重大突破，12英寸單片式碳化硅外延生長設備順利交付全球頭部SiC外延芯片生產商瀚天天成。此次研發的12英寸單片式SiC外延設備可兼容8、12英寸SiC外延生產，其獨創的垂直分流進氣方案，實現了晶圓表面溫度高精度閉環控制、工藝氣體精確分區控制等技術，同時設備配備了自動化上/下料模塊及一鍵自動PM輔助功能，大幅提升顆粒控制能力和維護效率。
晶盛機電近日在碳化硅（SiC）核心裝備領域取得重大突破，12英寸單片式碳化硅外延生長設備順利交付全球頭部SiC外延芯片生產商瀚天天成。此次研發的12英寸單片式SiC外延設備可兼容8、12英寸SiC外延生產，其獨創的垂直分流進氣方案，實現了晶圓表面溫度高精度閉環控制、工藝氣體精確分區控制等技術，同時設備配備了自動化上/下料模塊及一鍵自動PM輔助功能，大幅提升顆粒控制能力和維護效率。
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