近期，國產功率半導體「三線」齊傳捷報：株洲中車53億元8英寸SiC晶圓線正式通線，年增36萬片產能；寧波比亞迪24萬片SiC芯片技改項目通過驗收，1200V溝槽柵MOSFET量產在即；東台富樂華10億元高導熱陶瓷基板項目主體封頂，180萬片/年封裝材料產線落地。中車中低壓功率器件產業化（株洲）建設項目通線12月26日，株洲中車舉行中低壓功率器件產業化（株洲）建設項目通線儀式，標誌着國內又一條8英寸...
網頁鏈接近期，國產功率半導體「三線」齊傳捷報：株洲中車53億元8英寸SiC晶圓線正式通線，年增36萬片產能；寧波比亞迪24萬片SiC芯片技改項目通過驗收，1200V溝槽柵MOSFET量產在即；東台富樂華10億元高導熱陶瓷基板項目主體封頂，180萬片/年封裝材料產線落地。中車中低壓功率器件產業化（株洲）建設項目通線12月26日，株洲中車舉行中低壓功率器件產業化（株洲）建設項目通線儀式，標誌着國內又一條8英寸...
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