智通財經APP獲悉，華爾街金融巨頭花旗集團近日發佈研報稱，在全球範圍AI算力基礎設施建設浪潮如火如荼以及「存儲芯片超級週期」宏觀背景之下，半導體設備廠商們——尤其是阿斯麥(ASML.US)、泛林集團(LRCX.US)以及應用材料(AMAT.US)這三大半導體設備巨頭們，將是AI芯片(AI GPU/AI ASIC)與DRAM/NAND存儲芯片產能急劇擴張之勢的最大規模受益者。花旗在這份研報中預測，全球半導體設備板塊將迎來「Phase 2 牛市上行週期」，也就是說繼2024-25年的超級牛市之後有望迎來新一輪牛市軌跡。
華爾街知名半導體行業分析師Atif Malik領導的花旗分析師團隊預測，隨着AI芯片與存儲芯片需求持續激增，台積電、三星電子以及英特爾這三家全球最大規模的芯片製造巨頭，以及存儲芯片製造商SK海力士在即將到來的財報披露中將對2026年以及之後半導體資本開支(capex) 指引顯著上調，進而預判2026年全球晶圓廠半導體設備(WFE)支出更加可能向其「最樂觀預測前景」靠攏。
股價走勢方面，美股半導體設備板塊自開年以來無比強勁。阿斯麥美股ADR價格在2026年開年已經創下歷史新高，1月2日單日漲幅超過8%，2026年開年以來漲幅高達16%，市值接近5000億美元;泛林集團美股市場股價則自2025年下半年以來可謂屢創歷史新高，2026年開年以來漲幅高達20%;應用材料股價在2026年開年同樣屢創新高，開年以來漲幅高達15%。
花旗分析師團隊重點指出，SK海力士與三星電子的最大存儲芯片競爭對手美光科技已經在2025年12月的業績電話會議上將2026財年(截至2026年8月)資本開支從此前的180億美元上調至200億美元，意味着同比大幅增長45%，其中芯片製造工廠建設資本開支幾乎翻倍。美光還表示2027財年資本開支也將繼續增長。作為三星電子與SK海力士在存儲芯片市場最直接競爭的對手，美光的大幅擴產舉措可能促使這兩家位於韓國的存儲芯片製造巨頭採取相應資本開支擴張行動以維持市場地位。
值得注意的是，市場對於台積電的芯片產能擴張強勁預期不僅聚焦於英偉達、AMD以及博通這三大AI芯片領軍者們帶來的堪稱天量級數據中心AI芯片訂單，以及蘋果公司每年都能夠帶來的龐大消費電子芯片訂單，在數據中心企業級高性能SSD(隸屬於NAND終端應用)領域，面向高性能NVMe(尤其 PCIe Gen5/Gen6)的SSD主控芯片可謂極度依賴台積電高端製程產能——這意味者台積電當前產能必然遠遠無法滿足AI算力與存儲帶來的「永無止境訂單」，大舉擴張產能可謂迫在眉睫。
谷歌在11月下旬重磅推出Gemini3 AI應用生態之後，這一最前沿AI應用軟件隨即風靡全球，推動谷歌AI算力需求瞬間激增。Gemini3 系列產品一經發布即帶來無比龐大的AI token處理量，迫使谷歌大幅調低Gemini 3 Pro與Nano Banana Pro的免費訪問量，對Pro訂閱用戶也實施暫時限制，疊加韓國近期貿易出口數據顯示SK海力士與三星電子HBM存儲系統以及企業級SSD需求持續強勁，進一步驗證了華爾街所高呼的「AI熱潮仍然處於算力基礎設施供不應求的早期建設階段」。
隨着微軟、谷歌以及Meta等科技巨頭們主導的全球超大規模AI數據中心建設進程愈發火熱，全方位驅動芯片製造巨頭們3nm及以下先進製程AI芯片擴產與CoWoS/3D先進封裝產能、DRAM/NAND存儲芯片產能擴張大舉加速，半導體設備板塊的長期牛市邏輯可謂越來越堅挺。
在華爾街巨頭摩根士丹利、花旗、Loop Capital以及Wedbush看來，以AI算力硬件為核心的全球人工智能基礎設施投資浪潮遠遠未完結，現在僅僅處於開端，在前所未有的「AI推理端算力需求風暴」推動之下，持續至2030年的這一輪整體AI基礎設施投資浪潮規模有望高達3萬億至4萬億美元。
2026年，芯片製造巨頭們產能擴張大浪潮來襲
花旗發佈的這份研報顯示，2026年的芯片股主線投資策略絕對不是「泛泛看多半導體」，而是明確落在股票市場半導體設備龍頭領域(即WFE相關)。花旗的半導體投資策略鎖定「芯片製造大廠們capex激增到WFE總市場規模擴大，再到半導體設備領軍者們訂單/營收/利潤擴張」的這一價值傳遞鏈條，押注2026年半導體設備景氣度繼續上行。
花旗最新測算顯示的2026年全球WFE市場規模模型約為1150億美元(意味着將同比+10%，遠遠高於過去十年平均增長水平)，並指出三芯片製造大廠(台積電、三星與英特爾)合計約佔其中的59%;同時強調其觀察到的增長趨勢顯示2026年整體WFE將「更加接近」其1260億美元的牛市預測情景。
尤其是對於全球芯片代工之王台積電，花旗預計台積電2026年capex指引區間約為460–480億美元，並判斷全年可能大幅上修(花旗與機構投資者們的交流口徑「可到500億美元」)。台積電在去年10月的業績電話會議上已將2025年資本開支區間從此前的380億至420億美元區間下限上調至400億至420億美元。
在花旗看來，AI基建狂潮所拉動的「算力—存儲—先進芯片製造」鏈條決定了半導體設備capex粘性比以往任何週期都強勁：基於AI訓練/推理的海量算力需求不僅推高先進製程邏輯芯片需求，也顯著抬升高端存儲芯片(尤其HBM/企業級SSD相關)的需求強度;在芯片製造工藝複雜度上升背景下，單位晶圓的設備「前沿先進工序數/步驟數」增加，設備端更容易體現為需求的持續性與訂單能見度提升。
花旗的WFE模型拆分假設裏明確給出NAND +30%、DRAM +12%、Foundry/Logic +10%(其模型口徑)，說明該機構認為2026年不是單一的AI算力板塊託舉，而是更均衡的先進芯片製程擴張，這往往更利好覆蓋面廣、產品組合完整的半導體設備龍頭(比如聚焦沉積/刻蝕/清洗/量測/先進封裝等多環節)。
世界半導體貿易統計組織(WSTS)近日公佈的最新半導體行業展望數據顯示，全球芯片需求擴張態勢有望在2026年繼續強勢上演，並且自2022年末期以來需求持續疲軟的MCU芯片以及模擬芯片也有望踏入強勁復甦曲線。
WSTS預計繼2024年強勁反彈之後，2025年全球半導體市場將增長22.5%，總價值將達到7722億美元，高於WSTS春季給出的展望;2026年半導體市場總價值則有望在2025年的強勁增長基礎之上大舉擴張至9755億美元，接近SEMI預測的2030年1萬億美金的市場規模目標，意味着有望同比大增26%。
WSTS表示，這種連續兩年的強勁增長趨勢將主要得益於AI GPU主導的邏輯芯片領域以及HBM存儲系統、DDR5 RDIMM與企業級數據中心SSD所主導的存儲領域持續強勁的勢頭，預計這兩個領域都將實現無比強勁的兩位數增長，這得益於人工智能推理系統與雲計算基礎設施等領域持續強勁擴張需求。
光刻、刻蝕、薄膜沉積與先進封裝設備邁向需求激增週期
花旗分析師團隊表示，「Phase 2 上行週期」意味着估值錨從「估值觸底修復」轉向「盈利持續上修」：當WFE總盤子從基準情景往牛市情景偏移時，半導體設備領域龍頭公司盈利彈性甚至有可能大於營收彈性(規模效應+產能利用率提升+高端工藝佔比提高)，因此花旗選擇用 阿斯麥、泛林集團以及應用材料的半導體設備組合來表達「上行斜率」前景。
阿斯麥、泛林集團以及應用材料，這三大半導體設備巨頭，可謂覆蓋了光刻、刻蝕、薄膜沉積與先進封裝設備，而這些半導體設備細分領域正是受益於AI基建狂潮與存儲超級週期的最佳半導體設備領域。
總部位於荷蘭的光刻機巨頭阿斯麥(ASML Holding NV)所推出的EUV光刻機器，可以說是自2023年以來的史無前例全球AI熱潮之下，台積電、三星電子等最大規模芯片製造商們打造出為ChatGPT、Claude等全球最前沿AI應用提供最核心驅動力的AI芯片的必備半導體設備，同時也是在當前這輪可能持續到2027年「存儲超級週期」宏觀背景之下，SK海力士與美光科技等存儲巨頭們打造HBM存儲系統、數據中心企業級SSD/DDR等核心存儲設備所必需具備的機器系統。
AI GPU/AI ASIC加速器的性能躍遷高度依賴先進邏輯節點(3nm到2nm，或者更先進的1.8nm、1.6nm)，而這些節點的關鍵層必須使用EUV甚至High-NA EUV來實現更小線寬與更高良率;阿斯麥的EUV/High-NA EUV設備明確面向3nm以及sub-2nm 邏輯與全球性能領先的DRAM的量產需求，是先進製程擴產的「瓶頸型資本品」。與此同時，AI訓練/推理還把「存儲側」同步點燃：與AI GPU/AI ASIC搭配的HBM存儲系統既要求DRAM製造節點繼續微縮，又要求刻蝕、薄膜沉積、CMP工藝，以及最為關鍵的堆疊封裝與互連環節(TSV/混合鍵合先進封裝等)顯著增加製造步驟與設備密度。
應用材料在其最新的技術解讀中指出HBM製造流程相對傳統DRAM額外增加約19個材料工程步驟，並聲稱其最先進的半導體設備覆蓋其中約75%的步驟，同時也重磅發佈面向先進封裝/存儲芯片堆疊的鍵合系統，因此HBM與先進封裝製造設備可謂是該公司中長期的強勁增長向量，GAA(環繞柵極)/背面供電(BPD)等新芯片製造節點設備則將是驅動該公司下一輪強勁增長的核心驅動力。相比於應用材料，泛林集團(Lam Research)的優勢則全面集中在先進HBM存儲所需的高深寬比(HAR)刻蝕/沉積與相關工藝能力，並且3D NAND/先進DRAM結構與互連也都高度依賴泛林獨家的HAR工藝。