天眼查App顯示，2026-01-09，「半導體結構及其形成方法」正式進入公布階段。申請人為中芯國際集成電路製造（北京）有限公司,中芯國際集成電路製造（上海）有限公司，該項半導體技術專利涉及光刻工藝中的對準標記結構設計與製造。據專利信息顯示，通過在對準標記中設定凹槽，並依次形成透光層與不透光層，使得不透光層外形輪廓與對準標記相近似，顯著優化了圖形傳遞精度。發明人為宋孟夏;尹卓。一種半導體結構及其...
網頁鏈接天眼查App顯示，2026-01-09，「半導體結構及其形成方法」正式進入公布階段。申請人為中芯國際集成電路製造（北京）有限公司,中芯國際集成電路製造（上海）有限公司，該項半導體技術專利涉及光刻工藝中的對準標記結構設計與製造。據專利信息顯示，通過在對準標記中設定凹槽，並依次形成透光層與不透光層，使得不透光層外形輪廓與對準標記相近似，顯著優化了圖形傳遞精度。發明人為宋孟夏;尹卓。一種半導體結構及其...
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