科技日報:我國芯片製造核心裝備取得重要突破

滾動播報
01/17

  科技日報記者 都芃

  記者17日從中核集團中國原子能科學研究院獲悉,由該院自主研製的我國首台串列型高能氫離子注入機(POWER-750H)成功出束,核心指標達到國際先進水平。這標誌着我國已全面掌握串列型高能氫離子注入機的全鏈路研發技術,攻克了功率半導體制造鏈中的關鍵環節,為推動高端製造裝備自主可控、保障產業鏈安全奠定堅實基礎。

  離子注入機與光刻機、刻蝕機、薄膜沉積設備並稱為芯片製造「四大核心裝備」,是半導體制造不可或缺的「剛需」設備。長期以來,我國高能氫離子注入機完全依賴國外進口,其研發難度大、技術壁壘高,是制約我國關鍵技術產業升級發展的瓶頸之一。

  中國原子能科學研究院依託在覈物理加速器領域數十年的深厚積累,以串列加速器技術作為核心手段,破解一系列難題,完全掌握了串列型高能氫離子注入機從底層原理到整機集成的正向設計能力,打破了國外企業在該領域的技術封鎖和長期壟斷,將有力提升我國在功率半導體等關鍵領域的自主保障能力,更為助力「雙碳」目標實現、加快發展新質生產力提供強有力技術支撐。

  (中核集團供圖)

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責任編輯:張恒星

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