智通財經APP獲悉，有媒體報道稱，總部位於韓國的存儲芯片巨頭三星電子在一份郵件回覆中表示，市場上關於其DRAM存儲產品——DDR系列內存條價格上漲80%的漲幅傳聞並不準確，具體以分銷商漲幅為準。三星電子的大型分銷商們已發出價格上漲通知，主要原因是全球半導體市場供需格局的深層次變化，包括供應端可能面臨長期限制以及上游製造成本的急劇上升、存儲芯片產能遠遠不及市場需求。

然而，一些接受媒體採訪的內存模塊產品製造商指出，他們尚未收到任何關於大幅漲價的通知;據媒體報道，另一家內存模塊製造商則表示，三星內存條價格確實將大幅上漲，但該製造商並未提供具體的漲幅數據。

本月早些時候，有報道稱韓國兩大存儲芯片製造商，同時也是全球最大規模的兩大存儲芯片製造商——三星電子以及SK海力士正在考慮在第一季度將服務器級別的DDR系列(包括DDR4與DDR5)內存價格提高最多70%，因為超大規模數據中心AI訓練/推理系統所帶來的需求激增態勢全方位影響了全球供應體系。

此前在2025年11月，有媒體報道顯示，三星電子、SK海力士以及美國本土的存儲芯片製造商美光科技(MU.US)這三大存儲芯片原廠們在大幅減少DRAM/NAND整體產能以全面聚焦於高帶寬內存(即HBM存儲系統)產能之後，已經面臨老式動態RAM(即傳統DRAM系列內存)產品線的嚴重短缺。

三星與SK海力士大舉加碼HBM產能，DDR系列與企業級SSD瘋狂漲價

HBM是英偉達、AMD以及谷歌/博通等芯片設計巨頭們打造AI GPU/ AI ASIC算力集羣所必需具備的存儲系統，無論是谷歌無比龐大的TPU AI算力集羣，抑或海量英偉達AI GPU算力集羣，均離不開需要全面集成搭載AI芯片的HBM存儲系統。SK海力士則是「AI芯片超級霸主」英偉達(NVDA.US)最核心的HBM芯片供應商。

此外，據韓國媒體報道稱，三星電子面向英偉達以及AMD等AI芯片廠商們的定製化HBM4E設計工作計劃於2026年5月至6月間完成。這一最新的時間表顯示，儘管三星的HBM4仍以標準化產品為主，但行業重心正迅速向聚焦與AI GPU/AI ASIC定製化集成的HBM4E及未來的HBM5產能轉移。與此同時，三星長期以來的最大競爭對手SK海力士和美光也在推進類似的時間表，主要內存製造商們在下一代技術研發進度上並未拉開顯著差距。

SK海力士、三星以及美光這三大堪稱壟斷的存儲芯片原廠紛紛將多數產能集中於HBM存儲系統——這類存儲產品需要的先進製程產能以及製造、封測複雜度相比於DDR系列以及HDD/SSD系列存儲芯片而言複雜得多，因此三大存儲芯片領軍者不斷將產能遷移至HBM，在很大程度上導致這些硬盤類存儲產品供不應求。

行業統計數據顯示，2025年9月以來，DDR5系列內存條的價格整體漲幅超過300%，DDR4內存條漲幅也超150%。

Counterpoint Research等機構的行業調研顯示，AI服務器系統對數據中心級別內存條的需求量是普通服務器系統的至少8-10倍，如此龐大的需求，使得AI服務器目前已消耗全球內存月產能的53%，海量高端存儲需求可謂嚴重擠壓了消費級內存DDR系列產品的產能分配。包括谷歌、微軟在內的全球頭部雲計算服務廠商們紛紛拋出鉅額採購訂單，甚至包下三大存儲芯片原廠們未來2-3年的一部分閒置產能。

花旗的分析師們預計，受AI訓練和推理需求的雙重推動，2026年數據中心企業級服務器DRAM的ASP將按年暴漲144%(此前預測為+91%);以主流產品64GB DDR5 RDIMM為例，花旗預測其價格將在2026年第一季度達到620美元，按月增長38%，遠高於此前預測的518美元。在NAND領域，花旗的預測同樣激進，將2026年的ASP增長預期從+44%上調至+74%;其中，企業級SSD的ASP預計將按年增長87%。在花旗的分析師們看來，存儲芯片市場將進入一個極其劇烈的賣方市場，定價權將完全掌握在三星、SK海力士以及美光、閃迪等存儲巨頭手中。