HBM競爭正快速轉向深度定製化。三星計劃於2026年中完成定製HBM4E設計，並採用自研2nm工藝以求突破；而SK海力士與美光則選擇深度依賴台積電的先進製程進行合作。這標誌着下一代AI算力的決勝關鍵，將取決於各公司在先進封裝與製程（如2nm/3nm）上的技術路徑與聯盟實力。

隨着高帶寬內存（HBM）技術競賽進入白熱化階段，存儲芯片巨頭正加速向定製化HBM4E領域佈局。三星電子已顯著加大研發投入，預計將在2026年年中完成其定製HBM4E的設計工作，標誌着下一代存儲技術正從標準化產品向滿足特定客戶需求的高性能定製方案轉型。

據The Elec報道，三星電子的定製HBM4E設計計劃於2026年5月至6月間完成。這一時間表顯示，儘管HBM4仍以標準化產品為主，但行業重心正迅速向聚焦定製化的HBM4E及未來的HBM5轉移。與此同時，競爭對手SK海力士和美光也在推進類似的時間表，主要內存製造商在下一代技術研發進度上並未拉開顯著差距。

為應對日益增長的定製化需求，三星已採取激進策略，不僅分別為標準化和定製化設計設立了專門的HBM團隊，近期還增聘了250名工程師專門服務於定製項目，目標客戶涵蓋谷歌、Meta和英偉達等科技巨頭。行業普遍預期，HBM4E將於2027年正式投放市場，而HBM5預計將在2029年面世。

這一戰略轉向不僅反映了高性能計算市場對差異化硬件需求的激增，也將重塑存儲廠商與代工廠的合作模式。隨着基礎裸片集成的邏輯功能日益複雜，先進製程技術的引入成為關鍵，主要廠商正通過不同的技術路徑和合作伙伴關係，試圖在未來的AI算力競賽中佔據有利位置。

三星全力押注定製化HBM

三星電子正在加速推進其HBM4E的研發進程。據The Elec報道，該公司已進入基礎裸片的後端設計階段。HBM的整體設計周期通常約為10個月，而後端設計階段約佔整個時間表的60%至70%。這一階段主要涉及物理設計，即在前端寄存器傳輸級（RTL）邏輯開發完成後，進行電路的佈局與連接。一旦該階段完成，最終的設計數據將被送往代工廠進行流片生產。

基礎裸片在HBM架構中扮演着核心角色，負責控制堆疊DRAM的數據讀寫操作及錯誤校正，直接決定了整體性能與穩定性。因此，客戶越來越多地要求在基礎裸片中集成額外的邏輯功能，從而推動了定製化HBM的需求。

在製程工藝方面，三星正尋求更大的技術跨越。據ZDNet報道，三星今年商用的HBM4邏輯裸片採用了4nm工藝，而針對定製化HBM，該公司計劃進一步採用2nm節點，以實現更高的性能突破。

SK海力士與美光倚重台積電生態

在三星推進自研的同時，SK海力士和美光則通過深化與台積電的合作來應對定製化挑戰。The Elec援引行業內部人士消息稱，SK海力士和美光預計將在與三星相近的時間節點完成各自的定製HBM4E開發，三家主要廠商目前的研發進度基本持平。

據ZDNet報道，SK海力士正與TSMC緊密合作開發下一代HBM基礎裸片及其他先進產品，並與SanDisk合作推動高帶寬閃存（HBF）的國際標準化。在工藝選擇上，韓國金融時報指出，SK海力士將針對主流服務器基礎裸片採用TSMC的12nm工藝，而針對英偉達旗艦GPU和谷歌TPU等高端設計，則將升級至3nm工藝。

美光方面，據Tom’s Hardware此前報道，該公司已委託TSMC製造其HBM4E的基礎邏輯裸片，目標是在2027年實現生產。然而，媒體指出，美光為控制成本仍堅持使用現有的DRAM工藝，這被視為在定製HBM競賽中的結構性劣勢。儘管美光已開始探索TSMC的工藝用於HBM4E，但行業觀察人士普遍認為，其在這一領域的步伐可能落後於三星和SK海力士。