在全球存儲芯片市場因供需緊張和需求強勁而迎來價格飆升之際，三星電子與SK海力士即將於1月29日同日發布2025年第四季度財報。這將是兩大巨頭首次在同一天公布業績，不僅標誌着存儲行業的周期性復甦進入關鍵階段，更因雙方在利潤表現、未來資本開支及下一代高帶寬內存（HBM）技術上的激烈博弈而備受投資者關注。

最新的業績前瞻顯示，三星電子有望交出一份歷史性的季度答卷，其第四季度營收預計突破90萬億韓元，營業利潤按年激增208%，或成為首家單季營業利潤突破20萬億韓元的韓國企業。這一強勁表現主要得益於其存儲半導體業務的迅猛反彈，不僅大幅縮小了與SK 海力士的盈利差距，更有望在隨後的季度實現反超。與此同時，儘管SK海力士因高度依賴HBM而受制於傳統DRAM價格上漲帶來的紅利有限，但市場仍預計其季度營業利潤將達到至少18萬億韓元。

此次財報發布的另一大看點在於兩家公司對2026年業績峯值的展望及資本支出計劃。隨着內存供應緊張局面預計將持續至2027年，分析師普遍預測兩大巨頭將在2026年雙雙邁入「100萬億韓元營業利潤俱樂部」。此外，兩家公司在下一代HBM4芯片供應上的競爭態勢也將成為焦點，尤其是雙方已向英偉達交付付費最終樣品，這直接關係到未來高利潤市場的份額分配。

投資者正密切留意此次財報電話會議中關於產能擴張和技術路線圖的信號。市場普遍預期，三星將大幅增加在存儲領域的投資以提升HBM產量及推進得克薩斯州Taylor工廠建設，而SK 海力士的資本支出預計將在2026年突破30萬億韓元，重點投向M15X晶圓廠及龍仁半導體集群。

利潤差距顯著收窄

隨着商品DRAM價格自2025年下半年起反彈，以及主流DRAM出貨量的增加，三星電子的存儲部門盈利能力正在快速恢復。據ZDNet引用的預測數據，三星電子存儲半導體業務的營業利潤預計將在17萬億韓元的高位區間。如果整體財報預測成真，三星將不僅創下營收按年增長22.7%的佳績，更有望成為韓國歷史上首個單季營業利潤達到20萬億韓元（約合138.2億美元）的企業。

相比之下，SK海力士雖然最初預計營業利潤在16至17萬億韓元之間，但據ZDNet引用的行業消息，其第四季度營業利潤現已被上調至至少18萬億韓元。然而，分析指出，由於SK海力士的業務結構更側重於HBM，這在一定程度上限制了其從近期傳統DRAM價格飆升中獲取的收益幅度。

市場普遍預期這一追趕態勢將在2026年第一季度發生逆轉。根據ZDNet的報道，隨着商品DRAM價格預計再次大幅上漲，三星存儲部門的營業利潤有望在該季度超越SK海力士。TrendForce的數據顯示，2026年第一季度主流DRAM的平均售價預計將按月跳漲55%至60%。

2026年或迎業績巔峯

在內存供應緊張預計將延續至2027年的背景下，兩家韓國存儲巨頭正蓄勢待發，準備在2026年迎來業績巔峯。據媒體報道，分析師預測SK海力士在2026年的銷售額將超過165萬億韓元，營業利潤突破100萬億韓元。與此同時，麥格理和KB證券的投行報告指出，三星電子2026年的營業利潤也可能達到約150萬億韓元，這意味着兩家公司都將穩固地邁入「100萬億韓元營業利潤俱樂部」。

為了支撐這一增長預期，鉅額資本支出計劃已在醞釀之中。儘管官方尚未發布詳細計劃，但據The Bell此前報道，SK海力士的資本支出在2024年達到10萬億韓元的高位區間，2025年增至20萬億韓元的中段區間，並預計在2026年超過30萬億韓元。媒體稱，該公司已將數百億韓元投入清州M15X晶圓廠和龍仁集群項目。

三星方面同樣計劃激進擴張。媒體報道稱，三星計劃在2025年DS部門支出40.9萬億韓元的基礎上，於2026年大幅增加存儲領域的投資。其關鍵優先事項包括提升HBM產量、擴建平澤DS基地以及推進得克薩斯州Taylor晶圓廠的建設。

HBM4技術競賽白熱化

除了財務數據，兩大巨頭在HBM4領域的爭奪戰也在升溫。TrendForce指出，英偉達在2025年第三季度修改了其Rubin平台的HBM4規格，將單引腳速度要求提高至11 Gbps以上，這迫使三大HBM供應商必須修改設計。

據SeDaily報道，三星和SK海力士已於2025年底開始向英偉達交付付費的HBM4最終樣品。行業預計，具體的供應量和定價將在2026年第一季度鎖定，TrendForce補充稱，最終結果將在本季度中後期合同正式敲定後明朗化。

在這場技術競賽中，三星試圖通過採用1Cnm工藝製造HBM4，並利用先進的內部代工技術生產基礎裸片來挑戰SK 海力士，這有望提供更高的傳輸速度。儘管如此，TrendForce指出，SK 海力士已經獲得相關合同，並預計在2026年仍將保持在HBM總供應量中的主導份額。