智通財經APP獲悉，招商證券發布研報稱，2026年一季度以來，各類存儲產品價格按月急劇上漲，目前在能見度範圍內今年存儲價格持續上漲可期，同時2026年全球新增供給有限，預計存儲緊缺趨勢將延續至2027年。在價格與需求共振情況下，今年海內外存儲將迎來業績釋放大年，後續市場價格趨勢和各環節公司業績增長持續性是核心關注點，建議關注存儲+設備+產業鏈三大核心環節相關公司。

招商證券主要觀點如下：

英偉達存儲機櫃和DS Engram模塊均展現AI數據中心多級存儲架構演變趨勢，NAND在數據中心重要性日益凸顯

2026年存儲新增產能有限，海外原廠因技術轉移等因素使得有效產能釋放滯後，供需缺口預計將延續至2027年，原廠庫存持續緊張，下游模組廠等開啓戰略備貨以應對客戶需求。供需結構的變化進一步支撐2026年合約價上行趨勢，帶動產業鏈公司業績穩步增長，建議關注海外存儲/國內模組/利基存儲和上游設備/材料等產業鏈公司。

需求端：AI推理驅動存儲需求成倍增長，NAND成數據中心容量底座

AI推理驅動存儲架構向「HBM+DRAM+NAND」三級金字塔架構演進，RAG與長上下文確立了大容量NAND在降本增效與解決「模型幻覺」中的核心地位。技術層面，多模態視頻生成帶來百倍內存需求，英偉達Rubin平台引入每GPU16TB獨立存儲機櫃，以及DeepSeek Engram架構利用DRAM/SSD卸載HBM壓力，均驗證了「以大容量廉價存儲換取算力效率」的技術路徑，單機存儲搭載量呈指數級躍升。

行業層面，NAND正式邁入ZB級數據時代，數據中心將取代移動端成為最大單一市場，預計2026年服務器DRAM佔比將突破50%。中長期全球存儲位元需求CAGR將維持在20%水位，其中數據中心DRAM與NAND在2023-2030年的CAGR預計分別達28.3%與32.6%，遠超傳統終端增速。

供給端：2026年資本開支加速但有效產能釋放滯後，供需錯配驅動全球存儲鏈維持賣方市場格局

2026年三大原廠資本開支顯著提速，根據TrendForce預測，三星、海力士與美光預計分別投入200億美元(按年+11%)、205億美元(按年+17%)及135億美元(按年+23%)，但投資重心高度集中於HBM及向DRAM等先進製程的技術轉移，新建產能釋放需至2027年以後，導致短期有效供給彈性嚴重受限，行業供給缺口預計將延續至2027年。受產能瓶頸制約，2026年DRAM與NAND位元出貨量增速預計均維持在20%左右，且AI服務器需求爆發推動服務器端在DRAM與NAND位元出貨佔比中均超過45%，供需錯配將有力支撐行業延續賣方市場格局。

庫存端：產業鏈庫存呈現顯著的分化特徵，原廠庫存緊張將貫穿2026全年

原廠庫存水位持續回落，服務器DRAM與NAND緊缺趨勢預計將貫穿2026全年，奠定長期賣方市場基礎；中下游台廠與中國內地廠商普遍積極備貨，其中中國內地模組廠Q3庫存累計按年高增34%創歷史新高，以應對2026年供需缺口，後續有望在價格上行周期中通過低成本庫存重估，釋放巨大的利潤彈性。

價格端：AI產能擠佔效應導致供需缺口持續擴大，26Q1合約價按月高增

現貨價格方面，雖然DDR4價格首次出現小幅回調，但原廠供應停滯支撐整體價格維持高位，並不影響整體價格走勢；合約價格方面，在服務器強勁需求拉動下呈現急劇上漲態勢，預計26Q1DRAM與NAND合約價按月漲幅將分別高達90-95%與55-60%。隨着產能瓶頸向PC與移動端傳導，全品類價格有望面臨普漲。

銷售端：供需錯配驅動全產業鏈量價齊升，原廠LTA鎖定高增，中下游業績彈性加速釋放

根據TrendForce預測，在存儲價格與需求的持續推升下，2026年DRAM與Flash產值預計達5516億美元，同增134%，2027年將再創高峯達8427億美元，同增53%。

2025Q4全球存儲鏈正式步入業績爆發期，原廠端(三星/海力士/美光/南亞科)營收與利潤均創歷史新高，受益於AI需求爆發與客戶長協鎖單，增長確定性與持續性顯著增強；台股與中國內地利基及模組廠商憑藉戰略庫存優勢，在供需錯配驅動的漲價潮中實現盈利能力的大幅修復。隨着原廠產能向高端傾斜導致通用產品持續緊缺，2026年全行業量價齊升進一步走強，中下游廠商業績向上斜率明確。

風險提示

AI算力資本開支不及預期，庫存減值風險，國際貿易摩擦與供應鏈波動，行業競爭加劇，匯率波動風險，價格下行的風險。