IT之家 2 月 5 日消息，韓媒 hankyung 當地時間今日報道稱，三星電子計劃在平澤 P4 晶圓廠綜合體建設一條用於生產 HBM4 內存所需 1c nm DRAM Die 的大型生產線。該生產線計劃明年一季度投入生產，月產能達 10~12 萬片晶圓。作為參考，三星電子在 2026 年的月均 DRAM 產能為 66 萬片晶圓，換句話說這一條生產線就能貢獻總產能近 1/5 的製造能力。如果加上...
網頁鏈接IT之家 2 月 5 日消息，韓媒 hankyung 當地時間今日報道稱，三星電子計劃在平澤 P4 晶圓廠綜合體建設一條用於生產 HBM4 內存所需 1c nm DRAM Die 的大型生產線。該生產線計劃明年一季度投入生產，月產能達 10~12 萬片晶圓。作為參考，三星電子在 2026 年的月均 DRAM 產能為 66 萬片晶圓，換句話說這一條生產線就能貢獻總產能近 1/5 的製造能力。如果加上...
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