中國粉體網訊近日，在東京國際展覽中心舉辦的「NEPCON Japan 2026」電子製造及封裝技術展覽會上，英特爾首度公開展示集成嵌入式多芯片互連橋（EMIB，Embedded Multi-Die Interconnect Bridge）技術、尺寸達78mm×77mm的巨型玻璃芯基板原型。

來源：英特爾

相較於有機基板，玻璃基板憑藉優異的固有特性，在先進封裝等領域展現出不可替代的優勢。其熱膨脹係數（CTE）可精準調控至3-4ppm/K，與硅芯片高度匹配，能大幅降低熱循環過程中的熱應力，有效抑制封裝翹曲，解決有機基板因CTE失配導致的可靠性難題；此外，玻璃基板介電常數與介電損耗更低，能減少高頻信號傳輸延遲與串擾，適配AI、HPC芯片的高頻需求，同時高剛性可有效支撐超大尺寸封裝，避免基板下垂變形，高熱穩定性也更適配複雜封裝工藝。

英特爾該技術方案可在78毫米×77毫米的封裝尺寸內，實現相當於兩倍標準掩模版的面積。從垂直橫截面來看，該方案採用10-2-10的疊層架構：包含10層重佈線層、2層玻璃芯（厚芯）層以及10層底部重佈線層/增層。即便採用如此高密度的疊層設計，依託玻璃優異的材料特性，該方案仍可實現高密度佈線，這也是其核心優勢。值得關注的是，英特爾已在該封裝內部集成了兩個嵌入式多芯片互連橋，用以實現多個計算芯片間的互連。

來源:英特爾

該封裝的尺寸規格，以及明確標註的「無晶圓級再分佈層（No SeWaRe）」標識表明，此方案專為服務器級產品設計，例如AI加速器。不難看出，此次展示的EMIB與玻璃基板整合方案，對於提升AI架構性能上限至關重要：玻璃材料可實現精細互連、更優的焦深控制，並降低機械應力。若要讓AI芯片在單個「超級封裝」內集成數十個芯片粒，英特爾的這一技術路徑是極具可行性的優選方案之一。

此次英特爾巨型玻璃芯基板原型的公開亮相，打破了外界對其玻璃基板技術「停滯研發」的猜測，標誌着該技術已從實驗室走向實際應用階段。隨着2026年成為玻璃基板商業化出貨的關鍵節點，英特爾的這一技術路徑或許將支撐其晶圓代工業務爭奪AI加速器市場份額，為萬億參數AI模型、高性能計算等前沿領域的突破奠定堅實基礎，引領先進封裝技術從「晶體管小型化驅動」向「系統級整合驅動」的深刻轉型。